ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden

Die 5-mA-Zener-Dioden JMZV8.2B von ROHM Semiconductor sind in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse (PMDE) erhältlich und eignen sich für Applikationen zur Spannungsregelung. Bei diesen Bauteilen beträgt die Zener-Spannung [VZ(V)] 8,02 (min.) und 8,36 (max.) bei 5,0 mA [IZ(mA)]. Die Verlustleistung (PD) der Bauteile JMZV8.2B von ROHM Semiconductor bei 5 V beträgt 1000 mW (max.) bei einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von +150 °C. Diese Bauteile sind in einer für Version im Automobilstandard (JMZVTF8.2B) erhältlich, die nach AEC-Q101 zugelassen ist.

Merkmale

  • Hochzuverlässig
  • Kleine Baugröße in Power-Mold-Form
  • Silizium, epitaktisch-planar

Schaltung

Schaltplan - ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden

Gehäusediagramm

Technische Zeichnung - ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-23 | Aktualisiert: 2025-08-19