ROHM Semiconductor GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs
Die GNP2x 650 V Verbesserungsmodus-GaN-HEMTs von ROHM Semiconductor sind für leistungsstarke Leistungsumwandlungapplikationen ausgelegt. Diese Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) verfügen über eine hohe Durchschlagspannung und eine geringe elektrische Ladung im GATE. Die GNP2x GaN-HEMTs bieten einen hohenWirkungsgrad, eine Hochleistungsdichte und schnelle Umschaltfähigkeiten. Diese GaN-HEMTs verfügen über eine transiente Gate-Source-Spannung von 8,5 V und arbeiten im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Typische Applikationen umfassen Wandler mit hoher Schaltfrequenz und hoher Dichte.
Merkmale
- 650 V GaN-HEMT im Anreicherungsmodus
- Widerstand
- 50 mΩ (GNP2050TEC-Z)
- 70 mΩ (GNP2070TEC-Z und GNP2070TD-Z)
- 130 mΩ (GNP2130TEC-Z)
- Elektrische Gate-Ladung
- 2,8 nC (GNP2130TEC-Z)
- 4,7 nC (GNP2070TEC-Z)
- 5,2 nC (GNP2070TD-Z)
- 6,4 nC (GNP2050TEC-Z)
- 800 V transiente Drain-Source-Spannung
- -10 V bis 6,5 V GATE-to-Quellen-Spannung
- 8,5 V transiente Gate-zu-Source-Spannung
- -55 °C bis +150 °C Betriebstemperaturbereich
- Gehäuse:
- TOLL-8N (GNP2070TD-Z)
- DFN8080CK (GNP2050TEC-Z, GNP2070TEC-Z und GNP2130TEC-Z)
Applikationen
- Hochschaltende Frequenzwandler
- Wandler mit hoher Dichte
Applikations-Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2025-01-07
| Aktualisiert: 2025-10-09