ROHM Semiconductor BSS84X HZG Kleinsignal-MOSFET
Der HZG-Kleinsignal-MOSFETs der Baureihe BSS84X von ROHM Semiconductor werden in einem extrem kleinen, unbedrahteten Gehäuse mit einem freiliegenden Drain-Pad für eine ausgezeichnete Wärmeleitung angeboten. Der HZG-Kleinsignal-MOSFET der Baureihe BSS84X verfügen über eine Drain-Source-Spannung von -60 V, einen Dauersenkenstrom von ± 230 mA und eine Verlustleistung von 1,0 W. Der HZG-MOSFET BSS84X ist ausgelegt für Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber-Applikationen.
Der ROHM BSS84X HZG Kleinsignal-MOSFET ist in einem DFN1010-3W-Gehäuse verfügbar und AEC-Q101-qualifiziert.
Merkmale
- Unbedrahtetes, extrem kleines und freiliegendes Drain-Pad für ein SMD-Kunststoffgehäuse mit hervorragender Wärmeleitung (1,0 mm x 1,0 mm x 0,4 mm)
- Seitenbenetzbare Flanken für automatische optische Lötinspektion (AOI)
- Verzinnte, 100 % lötbare Seitenpads garantieren min. 125 μm
- AEC-Q101-qualifiziert
- -4,5 V Antrieb
Applikationen
- Schaltkreise
- High-Side-Lastschalter
- Relais-Treiber
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: -60 V
- Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: max. 5,3 Ω
- ±230 mAA Dauersenkenstrom
- 1,0 WW Verlustleistung
Typische Applikations-Schaltung
Dazugehörige Lösung
ROHM Semiconductor Automotive-Bauteile
Bieten eine optimierte Lösung für die Automotive-Industrie zusammen mit den sich entwickelnden Technologien.
Verwandte Produkte
ROHM Semiconductor BSS84W Kleinsignal-MOSFET
Ein Kleinsignal-p-Kanal-MOSFET mit -60 V, -0,21 A und Trench-MOSFET-Technologie.
Veröffentlichungsdatum: 2020-11-09
| Aktualisiert: 2024-10-23