ROHM Semiconductor BM61x Gate-Treiber

Die BM61x Gate-Treiber von ROHM Semiconductor bieten eine galvanische Einkanal-Trennung mit einer Isolationsspannung von 3.750 Vrms und einer I/O-Verzögerungszeit von 65 ns. Diese Gate-Treiber verfügen über eine aktive Miller-Klemmfunktion und eine Unterspannungssperrfunktion (UVLF). Die BM61x Gate-Treiber werden in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C und einem eingangsseitigen Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 5,5 V betrieben. Diese Gate-Treiber arbeiten bei einem Ausgangsstrom von 4 A, einer maximalen Sperrschichttemperatur von +150 °C und einer minimalen Eingangsimpulsbreite von 60 ns. Die BM61x Gate-Treiber von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für den Antrieb von SiC-MOSFETs.

Merkmale

  • AEC-Q100-qualifiziert
  • Galvanische Isolierung
  • Aktive Miller-Klemmung
  • Unterspannungssperrfunktion (UVLF)

Technische Daten

  • -40 °C bis +125 °C Betriebstemperaturbereich
  • Eingangsseitiger Versorgungsspannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V
  • 4 A Ausgangsstrom
  • +150 °C maximale Sperrschichttemperatur
  • Minimale Eingangs-Impulsbreite: 60 ns
  • 3.750 Vrms Isolationsspannung
  • I/O-Verzögerungszeit von 65 ns

Applikations-Schaltung

Applikations-Schaltungsdiagramm - ROHM Semiconductor BM61x Gate-Treiber

Videos

Veröffentlichungsdatum: 2020-03-30 | Aktualisiert: 2024-09-24