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Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V

Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V von Renesas Electronics nutzen die Split-Gate-Technologie, wodurch der Einschaltwiderstand RDSON und die Gütezahl deutlich reduziert werden. Sie eignen sich daher ideal für Hochstromapplikationen. Die Bauteile sind in den Gehäuseoptionen TOLL (TO-Leadless), TOLG (TO Leaded Gullwing) und TOLT (TO Top-Side Cooled) erhältlich und bieten ein außergewöhnliches thermisches Betriebsverhalten sowie maximale Strombelastbarkeit. Darüber hinaus verfügen die MOSFETs über ein Gehäuse mit benetzbaren Flanken für eine hervorragende Lötverbindung. Die REXFET-1 MOSFETs sind AEC-Q100-qualifiziert und verfügen über PPAP-Unterstützung für Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziertes Produkt und PPAP-Unterstützung
  • Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen
  • 60 % Platzersparnis im Vergleich zum D2PAK-7
  • Geringer RDSON zur Reduzierung von Leitungsverlusten
  • Hohe Strombelastbarkeit mit dem TOLL/TOLG-Gehäuse
  • Standard-Gate-Schwellenwert (VGS(th)= 2 V bis 4 V)
  • Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis dank Split-Gate-Technologie

Applikationen

  • DC-Motorantrieb, BMS (elektrische Ladungs-/Entladungs-FETs) und Synchrongleichrichtung
  • Elektrowerkzeuge und Gartengeräte
  • Robotik und AGV/AMR
  • Gabelstapler, Golfwagen und E-Scooter
  • 48 V Automobilindustrie - OBC/DCDC, Zonensteuerung, BMS, Motorsteuerung, Lüfter, Pumpe, elektrisch verstellbare Sitze, Schiebedach, EPS, EPB, E-Kompressor, Schalter, LED-Beleuchtung
  • E-Mobilität - Traktionswechselrichter für Zweirad- und Dreiradfahrzeuge, xEV, Gabelstapler, Nutzfahrzeuge

Technische Daten

  • Split-Gate-Technologie für niedrigen spezifischen Einschaltwiderstand (Rsp)
  • 100-V-Produktfamilie:
    • Optionen für RDSON: 1,5 mΩ, 2,9 mΩ, 3,7 mΩ, 6,7 mΩ, 11,1 mΩ, 21 mΩ
    • 5x6 SO8-FL und 3x3 µSO8-FL mit Kupferclip-Bonding und benetzbaren Flanken
    • TOLL mit benetzbaren Flanken und TOLG Leaded Gullwing
  • 150-V-Produktfamilie:
    • Optionen für RDSON: 3,4 mΩ, 3,9 mΩ
    • TOLL mit benetzbaren Flanken und TOLT für Oberseitenkühlung

Gehäuse

Applikations-Schaltungsdiagramm - Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V

Blockdiagramm

Blockdiagramm - Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs mit 100 V und 150 V
Veröffentlichungsdatum: 2024-12-09 | Aktualisiert: 2026-02-05