Qorvo QPD2025D 250um Diskretes GaAs-pHEMT-Plättchen

Das QPD2025D 250um diskrete GaAs-pHEMT-Plättchen wurde unter Verwendung von Qorvos bewährtem Standard 0,25um Power pHEMT Produktionsprozess entwickelt. Der Prozess verfügt über fortschrittliche Techniken zur Optimierung der Mikrowellenleistung und des Wirkungsgrads bei hohen Drain-Bias-Betriebsbedingungen. Der QPD2025D arbeitet von DC bis 20 GHz mit einer typischen Ausgangsleistung von 24 dBm bei P1 dB mit einer Verstärkung von 14 dB und einem Wirkungsgrad von 58 % bei 1 dB Kompression. Mit diesem Leistungsniveau ist das Gerät ideal für hocheffiziente Anwendungen. Die schützende Deckschicht aus Siliziumnitrid sorgt für Robustheit gegenüber Umwelteinflüssen und Kratzfestigkeit.

Merkmale

  • Frequenzbereich: DC bis 20 GHz
  • 24 dBm Typische Ausgangsleistung P1 dB
  • 14 dB Typische Verstärkung bei 12 GHz
  • 58 % Typische PAE bei 12 GHz
  • 0,9 dB Typischer NF bei 12 GHz
  • Keine Durchkontaktierungen
  • 0,25um GaAs pHEMT-Technologie
  • 0,41 mm x 0,34 mm x 0,10 mm Chip-Abmessungen
  • Bleifrei und RoHs-konform

Applikationen

  • Kommunikation
  • Radar
  • Punkt-zu-Punkt-Funk
  • Satellitenkommunikationssysteme
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-07 | Aktualisiert: 2022-03-11