Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 Schalter
CoolGaN™ Drive HB 600 V G5 Schalter von Infineon Technologies integrieren eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit zwei 600-V-Anreicherungsmodus-CoolGaN-Schaltern mit Einschaltwiderstandsoptionen von 140 mΩ, 270 mΩ oder 500 mΩ. Diese Schalter verfügen über integrierte Gate-Treiber und sind in einem kompakten TFLGA-27-Gehäuse von 6 mm × 8 mm erhältlich. Diese Schalter wurden für Applikationen mit niedriger/mittlerer Leistung entwickelt und eignen sich ideal für Motorantriebe mit hoher Leistungsdichte und Schaltnetzteile (SMPS) unter Nutzung der überlegenen Schaltleistung der CoolGaN-Technologie. Die CoolGaN-Schalter von Infineon zeichnen sich durch eine robuste Gate-Struktur aus, die einen minimalen Einschaltwiderstand gewährleistet, wenn sie mit einem Gate-Dauerstrom von nur wenigen Milliampere im “Ein”-Zustand angesteuert werden.
Aufgrund der niedrigen Schwellenspannung und der schnellen Schalttransienten des GaN benötigen bestimmte Applikationen eine negative Gate-Drive-Spannung, um ein schnelles Abschalten zu ermöglichen und Querleitungen zu verhindern. Dies lässt sich einfach über eine Standard-RC-Schnittstelle zwischen Treiber und Schalter realisieren, wobei nur wenige externe SMD-Widerstände und -Kondensatoren zur Anpassung an verschiedene Leistungstopologien benötigt werden.
Der integrierte Treiber, der auf der SOI-Technologie von Infineon basiert, bietet außergewöhnliche Robustheit und Störfestigkeit und gewährleistet gleichzeitig den Logik-Betrieb bei negativen Gate-Spannungen. Ein potenzialfreier Kanal unterstützt die Ansteuerung des High-Side-GaN-Chips mit einer integrierten Bootstrap-Konfiguration.
Merkmale
- Zwei 140-mΩ-, 270-mΩ- oder 500-mΩ-GaN-Schalter in einer Halbbrücken-Konfiguration mit integrierten High-/Low-Side-Gate-Treibern
- +0,29 A Quelleextremn- und -0,7 A Senken-Antriebsströme
- Applikationskonfigurierbare Einschalt- und Ausschaltgeschwindigkeit
- Integrierte extrem schnelle Bootstrap-Diode mit niedrigem Widerstand
- Schnelle typische Eingangs-zu-Ausgangs-Laufzeitverzögerung von 98 ns mit extrem geringer Kanal-zu-Kanal-Diskrepanz
- PWM-Eingangssignal
- Zweistufige Einphasen- oder Mehrphasen-Umrichter-Leistungstopologien
- Standard-Logik-Eingangspegel, die mit digitalen Controllern kompatibel sind
- 12 V typische Einzel-Gate-TreiberVersorgungsspannung mit schneller UVLO-Wiederherstellung
- Low-Side-Open-Source für die Strommessung mit einem externen Querwiderstand
- Thermisch optimiertes TFLGA-27-Gehäuse von 6 mm x 8 mm
- Vollständig JEDEC-qualifiziert für Industrieapplikationen
- Halogenfrei und RoHS-konform
Applikationen
- Stromsparende Motorantriebe
- Stromsparende Schaltnetzteile (SMPS)
Technische Daten
- 10 V bis 20 V Low-Side-Betriebs-Ausgangsspannungsbereich
- 10 V bis 20 V High-Side-Floating-Well-Betriebs-Versorgungsspannungsbereich
- 2,6 mA bis 7,7 mA maximaler Gate-Dauerstrom
- 600 V maximale Spannung zwischen den Ausgangspins DH, SW und SL
- 750 Drain-Source-Spannung gepulst maximale Drain-Source-Spannung gepulst
- 3,0 A bis 6,0 A maximaler Dauersenkenstrombereich bei +25 °C
- 6,7 A bis 23 A maximaler gepulster Drainstrombereich bei +25 °C
- Thermischer Widerstand
- 7,7 °C/W typisch Sperrschicht-zu-Gehäuse
- 52 °C/W Sperrschicht-zu-Umgebung, 4-lagig jedes GaN-Bauteil
- -40 °C bis +150 °C maximaler Sperrschicht-zu-Temperatur-Bereich
- +260 °C maximale Lötentemperatur
- ESD-Klassen
- 1C Human Body Model (HBM)
- C3 Charged-Device Model (CDM)
Datenblätter
Typische Konfigurationsschaltung
Blockdiagramm der Leistungsstufe
