onsemi UJ4N Normalerweise eingeschalteter SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩ

Der onsemi UJ4N normalerweise eingeschaltete SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩ weist einen extrem niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) in einem kompakten TOLL-Gehäuse auf. Diese Eigenschaft macht ihn ideal für die anspruchsvollen thermischen und platzbeschränkten Anforderungen von Halbleiter-Leistungsschaltern und Relaisapplikationen. Der UJ4N JFET von onsemi verwendet eine robuste Technologie, die für das Schalten mit hoher Energie geeignet ist, wie es in Schaltschutz-Applikationen erforderlich ist.

Merkmale

  • Einstelliger On-Widerstand in einem TOLL-SMD-Gehäuse
  • Maximale Betriebstemperatur: +175 °C
  • Hohe Impulsstrombelastbarkeit
  • Hervorragende Bauteil-Robustheit
  • Silbergesinterter Chip für hervorragenden thermischen Widerstand
  • Kurzschlussfestigkeit
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Solid-State-/Halbleiter-Leistungsschalter
  • Halbleiter-/Halbleiterrelais
  • Batterietrennschalter
  • Überspannungsschutz
  • Einschaltstromsteuerung

Schaltplan

Applikations-Schaltungsdiagramm - onsemi UJ4N Normalerweise eingeschalteter SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩ
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-09 | Aktualisiert: 2025-07-25