onsemi UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩ
onsemi UG4SC Combo-FETs von 750 V, 8,4 mΩ kombinieren einen 750-V-SiC-JFET und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse. Dieses Design ermöglicht einen normalerweise ausgeschalteten Schalter und profitiert vom extrem niedrigen On-Widerstand [RDS(on)] und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs und der Robustheit eines normalerweise auf SiC-JFETs. Die UG4SC Combo-FET-Baureihe von onsemi eignet sich hervorragend für die Hochenergie-Schaltung im Schaltungsschutz. Für die Schaltmodus-Leistungsumwandlung bieten die Bauteile einen separaten Gate-Zugang zum JFET und MOSFET, wodurch die Drehzahlregelung verbessert und die Parallelschaltung mehrerer Bauteile vereinfacht wird.
Merkmale
- Einstelliger RDS(on)
- Normal Aus-Fähigkeit
- Verbesserte Drehzahlregelung
- Verbesserter parallelgeschalteter Bauteilbetrieb (3 + FETs)
- Maximale Betriebstemperatur von +175 °C
- Hohe Impulsstrombelastbarkeit
- Hervorragende Bauteil-Robustheit
- Silbergesinterter Chip für hervorragenden thermischen Widerstand
- Kurzschlussfestigkeit
Applikationen
- Halbleiter-/Halbleiter-Leistungsschalter
- Halbleiter-/Halbleiterrelais
- Batterietrennschalter
- Überspannungsschutz
- Einschaltstromsteuerung
- Hochleistungs-Schaltmodus-Wandler (>25 kW)
Schaltplan
Veröffentlichungsdatum: 2024-09-30
| Aktualisiert: 2025-07-25