onsemi SiC E1B Module

Das onsemi SiC E1B Module verfügt über eine einzigartige Kaskaden-Schaltung mit einem normalerweise auf einem SiC-JFET, der mit einem Si-MOSFET kombiniert ist, was zu einem normalerweise ausgeschalteten SiC-FET führt. Die SiC E1B-Baureihe bietet einen Silizium-ähnlichen Gate-Drive, der unipolare Gate-Treiber unterstützt, die mit Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs und Si-Super-Junction-Bauteilen kompatibel sind. Diese Bauteile von onsemi sind im E1B-Modul-Gehäuse untergebracht und verfügen über eine extrem niedrige Gate-Ladung und ausgezeichnete Schalteigenschaften, wodurch sie sich hervorragend für hartschaltende und ZVS-Sanftschaltungs-Applikationen eignen. Die Module enthalten die fortschrittliche Ag- Sinterchip-Befestigungstechnologie für hervorragende Leistungszyklen und thermische Leistung.