onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul
Das onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul ist ein Dreikanal-Aufwärtsmodul mit fliegendem Kondensator. Jeder Kanal enthält zwei 1000 V, 200 A IGBTs und zwei 1200 V, 60 A SiC-Dioden. Das Modul enthält auch einen NTC-Thermistor. Zu den Applikationen gehören Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.Merkmale
- 3-Kanal-Boost in einem Q2-Gehäuse
- Extrem effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
- Geringer Schaltverlust reduziert die Systemverlustleistung
- Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
- Niedriges induktives Layout
- Bleifrei
Applikationen
- Solar-Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
- MPPT-Aufwärtsstufen
Technische Daten
- IGBT (T11, T12, T21, T22, T31, T32)
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1000 V
- Maximale Gate-Emitter-Spannung: ±20 V
- Maximale positive, transiente Gate-Emitter-Spannung: 30 V
- Maximaler Kollektordauerstrom: 173 A
- Maximaler gepulster Kollektorspitzenstrom: 519 A
- Maximale Verlustleistung: 422 W
- IGBT-Inversdiode (D11, D12, D21, D22, D31, D32)
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom: 66 A
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 98 A
- Maximale Verlustleistung: 101 W
- Siliziumkarbid-Schottky-Diode (D13, D14, D23, D24, D33, D34)
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom: 63 A
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 189 A
- Maximale Verlustleistung: 204 W
- Einschaltdiode (D15, D25, D35)
- Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
- Maximaler Dauerdurchlassstrom: 35 A
- Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 105 A
- Maximale Verlustleistung: 84 W
- Maximale Kriechstrecke: 12,7 mm
- Temperaturbereiche
- -40 °C bis +175 °C Anschluss
- -40 °C bis +150 °C Betrieb unter Schaltbedingungen
Schaltschema
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-30
| Aktualisiert: 2024-06-18
