onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul

Das onsemi   NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul ist ein Dreikanal-Aufwärtsmodul mit fliegendem Kondensator. Jeder Kanal enthält zwei 1000 V, 200 A IGBTs und zwei 1200 V, 60 A SiC-Dioden. Das Modul enthält auch einen NTC-Thermistor. Zu den Applikationen gehören Solarwechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.

Merkmale

  • 3-Kanal-Boost in einem Q2-Gehäuse
  • Extrem effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
  • Geringer Schaltverlust reduziert die Systemverlustleistung
  • Das Moduldesign bietet eine hohe Leistungsdichte
  • Niedriges induktives Layout
  • Bleifrei

Applikationen

  • Solar-Wechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme
  • MPPT-Aufwärtsstufen

Technische Daten

  • IGBT (T11, T12, T21, T22, T31, T32)
    • Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: 1000 V
    • Maximale Gate-Emitter-Spannung: ±20 V
    • Maximale positive, transiente Gate-Emitter-Spannung: 30 V
    • Maximaler Kollektordauerstrom: 173 A
    • Maximaler gepulster Kollektorspitzenstrom: 519 A
    • Maximale Verlustleistung: 422 W
  • IGBT-Inversdiode (D11, D12, D21, D22, D31, D32)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 66 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 98 A
    • Maximale Verlustleistung: 101 W
  • Siliziumkarbid-Schottky-Diode (D13, D14, D23, D24, D33, D34)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 63 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 189 A
    • Maximale Verlustleistung: 204 W
  • Einschaltdiode (D15, D25, D35)
    • Maximale periodische Spitzensperrspannung: 1200 V
    • Maximaler Dauerdurchlassstrom: 35 A
    • Maximaler periodischer Spitzendurchlassstrom: 105 A
    • Maximale Verlustleistung: 84 W
  • Maximale Kriechstrecke: 12,7 mm
  • Temperaturbereiche
    • -40 °C bis +175 °C Anschluss
    • -40 °C bis +150 °C Betrieb unter Schaltbedingungen

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si-/SiC-Hybridmodul
Veröffentlichungsdatum: 2024-01-30 | Aktualisiert: 2024-06-18