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onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Onsemi   NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs sind Leistungsmodule, die eine Vollbrücke und einen Thermistor in einem F1-Gehäuse enthalten. Diese MOSFETs verfügen über Thermistoren und Einpressstifte.  Die NXH0x0F120MNF1 Module haben sowohl ein zuvor aufgebrachtes Wärmeschnittstellenmaterial (TIM) als auch keine zuvor aufgebrachten TIM-Optionen. Diese Module eignen sich hervorragend für den Einsatz in Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Industrieleistung. Die NXH0x0F120MNF1 Module sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform. Diese Module sind mit -40°C bis 150°C im Lagertemperaturbereich und einem Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C verfügbar. 

Merkmale

  • 40 m/1200 V SiC-MOSFET-Halbbrücke (NXH040F120MNF1)
  • 20 mΩ/1.200 V SiC-MOSFET-Halbbrücke (NXH020F120MNF1)
  • Thermistor
  • Press-Fit-Pins
  • Optionen mit zuvor aufgebrachter Wärmeleitpaste (TIM) und ohne zuvor aufgebrachtes TIM
  • Diese Bauteile sind bleifrei, halidfrei und RoHS-konform

Technische Daten

  • Lagertemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
  • Mindest-Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -40 °C
  • Maximale Sperrschicht-Betriebstemperatur: +175 °C
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur des Moduls: -40 °C bis +175 °C

Applikationen

  • Solarwechselrichter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
  • Ladestationen für Elektrofahrzeuge
  • Industrieleistung

Schaltschema

Schaltplan - onsemi NXH0x0F120MNF1 SiC-MOSFETs

Weitere Infos zu EliteSiC

onsemi EliteSiC

Erfüllt die Anforderungen von anspruchsvollen Applikationen, wie z. B. solar-Wechselrichter und Ladegeräte für Elektrofahrzeuge.

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Teilnummer Herstellername Beschreibung Datenblatt
NXH007F120M3F2PTHG onsemi MOSFET-Module 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH007F120M3F2PTHG Datenblatt
NXH011F120M3F2PTHG onsemi MOSFET-Module 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH011F120M3F2PTHG Datenblatt
NXH020F120MNF1PTG onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH020F120MNF1PTG Datenblatt
NXH040F120MNF1PTG onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH040F120MNF1PTG Datenblatt
NXH020F120MNF1PG onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET NXH020F120MNF1PG Datenblatt
NXH040F120MNF1PG onsemi MOSFET-Module SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET NXH040F120MNF1PG Datenblatt
Veröffentlichungsdatum: 2022-04-07 | Aktualisiert: 2024-06-18