onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
Der onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET ist ein Einzel-, N-Kanal-STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse. Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 40 V, einen Dauersenkenstrom von 154 A und ist gemäßAEC-Q101 zertifiziert. Der NVMFWS1D7N04XM MOSFET von onsemi reduziert Treiber- und Leitungsverluste mit geringen Werten bei Kapazität sowie RDS(on). Der NVMFWS1D7N04XM ist in einem Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm untergebracht und eignet sich hervorragend für den Motorantrieb, den Batterieschutz und die Synchrongleichrichtung.
Merkmale
- Niedriger RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten
- Niedrige Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten
- Kleiner Footprint (5 mm x 6 mm) mit kompaktem Design
- AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
- Bleifrei, halogen-/BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Motortreiber
- Batterieschutz
- Synchrongleichrichtung
Technische Daten
- 40 V Drain-Source-Spannung
- 154 AA Dauersenkenstrom
- Drain-Source-On-Widerstand von 1,65 mΩ bei VGS = 10 V
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-03
| Aktualisiert: 2025-04-17