onsemi NVBG095N65S3F N-Kanal-SUPERFET®-III-MOSFET

Der onsemi NVBG095N65S3F n-Kanal-SUPERFET^® -III-MOSFET ist ein Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie nutzt. Dieser Leistungs-MOSFET bietet geringere Leitungsverluste, überragende Schaltleistung und widersteht extremen dv/dt-Raten. Der NVBG095N65S3F n-Kanal-SUPERFET-III-MOSFET optimiert die Sperrverzögerungsleistung der Body-Diode, wodurch die zusätzliche Komponente entfällt und die Systemzuverlässigkeit verbessert wird. Dieser MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören On-Board-Ladegeräte in der Fahrzeugindustrie und DC/DC-Wandler für batteriebetriebene Elektrofahrzeuge (BEV).