onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
Der Siliciumcarbid-MOSFET von onsemi NVBG050N170M1 ist Teil der planaren SiC-MOSFET-Produktfamilie mit 1700 V M1, die für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Dieses MOSFET verfügt über ein maximales RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V, eine Drain-Source-Spannung von1700 V, einen Dauersenkenstrom von 50 A und eine extrem niedrige Gate-Ladung (typischQG(tot) = 107 nC). Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET arbeitet mit geringer effektiver Ausgangskapazität (typisch Coss = 97 pF) und einer Gate-Source-Spannung von -15 V/+25 V. Dieser SiC-MOSFET ist 100 %-avalanche-getestet und in einem D2PAK-7L-Gehäuse erhältlich. Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET ist bleifrei (2LI), halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a. Typische Applikationen umfassen einen Sperrwandler, einen DC/DC-Wandler für EVs/HEVs und On-Board-Ladegeräte (OBCs) für Fahrzeuge.
Merkmale
- Typischer RDS(on) = 53 mΩ bei VGS = 20 V
- Extrem niedrige Gate-Ladung (typisch QG(tot) = 107 nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (typisch Coss = 97 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- Halogenfrei
- RoHS-konform mit Ausnahme von 7a
- Bleifrei 2LI (bei Verbindung auf zweiter Ebene)
Applikationen
- Sperrwandler
- Automotive-DC/DC-Wandler für EV/HEV
- Automotive-On-Board-Ladegerät (OBC)
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung: 1700 V VDSS
- Gate-Source-Spannung: -15 V/+25 V
- -55 °C bis 175 °C Betriebstemperaturbereich
- 87 A Kontinuierlicher Quellstrom (Body-Diode)
MOSFET Übersicht
Typische Eigenschaften
Abmessung
Veröffentlichungsdatum: 2025-05-14
| Aktualisiert: 2025-06-02