onsemi NTBL045N065SC1 33-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET
Der onsemi NTBL045N065SC1 33-mOhm-Siliziumkarbid-MOSFET ist in einem NTBL045N065SC1 TOLL-Gehäuse untergebracht und auf Schnelligkeit und Robustheit ausgelegt. Die Bauteile bieten eine 10x höhere dielektrische Durchbruchfeldstärke und eine 2x höhere Elektronen-Sättigungsgeschwindigkeit. Die MOSFETs bieten auch eine 3x höhere Energiebandlücke und 3x höhere Wärmeleitfähigkeit. Alle SiC-MOSFETs von onsemi umfassen AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige Optionen, die speziell für Fahrzeuganwendungen und Industrieapplikationen ausgelegt und qualifiziert sind.
Merkmale
- Typ. RDS (on)= 33 m bei VGS = 18 V
- Typ. RDS (on)= 45 m bei VGS = 15 V
- Ultra-niedrige Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (Coss = 162 pF)
- 100 % Avalanche-getestet
- TJ = 175 °C
- RoHS-konform
Applikationen
- SMPS (Stromversorgungen im Schaltmodus)
- Solarwechselrichter
- UPS (Unterbrechungsfreie Stromversorgungen)
- Energiespeicherung
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Veröffentlichungsdatum: 2022-08-23
| Aktualisiert: 2024-06-19