onsemi NTB004N10G n-Kanal-Leistungs-MOSFET
Der n-Kanal-Leistungs-MOSFET NTB004N10G von onsemi ist ein Avalanche-Energie-spezifizierter n-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET mit 201 A (ID), 100 V (VDSS) in einem D2PAK-Gehäuse. Dieses MOSFET bietet einen niedrigen RDS(on) von 4,2 mΩ bei 10 V, eine robuste Technologie für höchste Zuverlässigkeit und ist Hot-Swap-tolerant mit einer besseren SOA-Kurve (Safe Operation Area, sicherer Betriebsbereich) als Standard-MOSFETs. Der MOSFET NTB004N10G von onsemi ist für breite SOA-Anwendungen über einen 48-V-Bus entwickelt, darunter Telekommunikations-, Hot-Swap- und Serverausrüstungen. Weitere typische Anwendungen umfassen auch Wandler und Stromversorgungen.
Merkmale
- Avalanche-Energie-spezifizierter
- Robuste Technologie für höchste Zuverlässigkeit
- Entwickelt für breite SOA-Anwendungen über einen 48-V-Bus
- Hot-Swap-tolerant mit besserer SOA-Kurve als Standard-MOSFETs
- Reduzierte Leitungsverluste
- Hohe Strombelastbarkeit von 201 A, 100 VVDSS und niedrige 4,2 mΩ bei 10 V RDS(on)
- Bleifreie Gehäuse sind verfügbar
- RoHS-konform
Applikationen
- Wandler
- Stromversorgung
- Hot-Swap
- Telekommunikationsausstattung
- Serverausrüstung
Weitere Ressourcen
Konfiguration
Veröffentlichungsdatum: 2020-07-03
| Aktualisiert: 2024-05-23