onsemi NSVT5551M Bipolartransistor

Der Bipolartransistor NSVT5551M von onsemi ist ein AEC-Q101-qualifizierter NPN-Allzweckverstärker mit niedriger VCE(sat). Dieser NPN Bipolartransistor hat passende Chips und arbeitet bei -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich. Der NSVT5551M BJT ist bleifrei, halogenfrei, BFR-frei und RoHS-konform. Dieser Transistor wird in der Regel für viele verschiedene Applikationen verwendet.

Merkmale

  • Mit abgestimmten Dies geliefert
  • AEC-Q101- und PPAP-fähig
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
  • -55 °C bis 150 °C Lagertemperaturbereich
  • Verlustleistung 0,7 W (TC = 25 °C)
  • Dauerkollektorstrom 600 mA (IC)
  • 6 V Emitter-Basisspannung (VEBO)

Pinbelegung

onsemi NSVT5551M Bipolartransistor

Abmessungen

Technische Zeichnung - onsemi NSVT5551M Bipolartransistor
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-10 | Aktualisiert: 2025-07-16