onsemi NDSH30120CDN Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode
Die Onsemi NDSH30120CDN Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode bietet eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit als Silizium in einem TO-247-3LD-Gehäuse. Der NDSH30120CDN verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Diese EliteSiC Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und eine hohe Stoßstromkapazität.Merkmale
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- 110 mJ von Avalanche bewertet, Einzelimpuls
- Hohe Stromstoßfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
- Vereinfachte Parallelschaltung
- Keine Sperr-/Durchlassverzögerung
- TO-247-3LD-Gehäuse
- Halogenfrei und RoHS-konform mit Ausnahme 7a, bleifrei 2LI (auf zweiter Ebene)
Applikationen
- Universal
- Schaltnetzteile (SMPS), Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Leistungsschaltkreise
Technische Daten
- 1200 V Maximale periodische Spitzensperrspannung
- Maximaler gleichgerichteter Durchlassstrombereich
- 30 A bis 38 A pro Bauteil
- 15 A bis 19 A pro Kontakt
- Maximaler Durchlassstoßstrom
- 735 A bis 749 A nicht-repetitiver Spitzenbereich
- 91 A Nicht-repetitiv
- 39 A repetitiv
- Maximaler Leistungsverlust
- 158 W at +25 °C
- 26 W at +150 °C
- Typischer Durchlassspannungsbereich: 1,40 V bis 1,98 V
- 200 µA maximaler Rückstrom
- 64 nC typische kapazitive Gesamtladung
- Typischer Gesamtkapazitätsbereich: 44 pF (bei 800 V) bis 927 pF (bei 1 V)
- Maximaler thermischer Widerstand
- 0,46°C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse pro Bauteil
- 0,95°C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse pro Kontakt
- Sperrschicht-zu-Umgebungstemperatur: 40 °C/W
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-09
| Aktualisiert: 2024-06-19
