onsemi NDSH10120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode
Die NDSH10120C-F155 Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode von onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit Der EliteSiC NDSH10120C-F155 verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Zu den Applikationen gehören Universal-Applikationen, SNT, Solar-Wechselrichter, USV und Leistungsschaltkreise.Merkmale
- +175 °C maximale Sperrschichttemperatur
- 49 mJ von Avalanche bewertet, Einzelimpuls
- Hohe Stromstoßfestigkeit
- Positiver Temperaturkoeffizient
- Vereinfachte Parallelschaltung
- Keine Sperr-/Durchlassverzögerung
- TO-247-2LD-Gehäuse
- Bleifrei, Halogenfrei / BFR-frei und RoHS-konform
Applikationen
- Universal
- Schaltnetzteile (SMPS), Solar-Wechselrichter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)
- Leistungsschaltkreise
Technische Daten
- 1200 V Maximale periodische Spitzensperrspannung
- 10 A bis 12 A maximaler kontinuierlicher gleichgerichteter Durchlassstrombereich
- Maximaler Durchlass-Stromstoß
- 459 A bis 546 A nicht-repetitiver Spitzenbereich
- 59 A Nicht-repetitiv
- 31 A repetitiv
- Maximaler Leistungsverlust
- 94 W at +25 °C
- 16 W at +150 °C
- Typischer Durchlassspannungsbereich: 1,39 V bis 1,94 V
- 200 µA maximaler Rückstrom
- 46 nC typische kapazitive Gesamtladung
- Typischer Gesamtkapazitätsbereich: 32 pF (bei 800 V) bis 680 pF (bei 1 V)
- Maximaler thermischer Widerstand
- 1,6°C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse
- Sperrschicht-zu-Umgebungstemperatur: 40 °C/W
- -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
Veröffentlichungsdatum: 2024-02-08
| Aktualisiert: 2024-06-19
