onsemi NCV57080 Isolierte Hochstrom-Gate-Treiber
Die isolierten Hochstrom-Gate-Treiber NCV57080 von onsemi sind einkanalige Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von 3,75 kVrms, die für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind. Diese Gate-Treiber bieten Optionen wie Active Miller Clamp (NCV57080A), negative Stromversorgung (NCV57080B) und getrennte High- und Low-Treiberausgänge (OUTH und OUTL, beim NCV57080C). Die Gate-Treiber der Baureihe NCV57080 eignen sich für einen breiten Eingangsvorspannungsbereich und Signalpegel von 3,3 V bis 20 V. Zu den typischen Anwendungen gehören Onboard-Ladegeräte (OBCs), Heizelemente mit positivem Temperaturkoeffizienten (PTC), E-Kompressoren und Stromversorgungen für Fahrzeuge.
Merkmale
- Hoher Spitzenstrom: ±8 A
- Der niedrige Klemmspannungsabfall beseitigt die Notwendigkeit einer negativen Stromversorgung, um ein störendes Einschalten des Gate zu verhindern (beimNCV57080A)
- Kurze Laufzeitverzögerungen mit präziser Anpassung
- IGBT-Gate-Klemme während Kurzschluss
- Aktiver IGBT-Gate-Pulldown
- Präzise UVLO-Schwellenwerte für Vorspannungsflexibilität
- Breiter Vorspannungsbereich einschließlich negativer VEE2 (NCV57080B)
- Logikeingang: 3,3 V, 5 V, und 15 V
- Galvanische Trennung: 3,75 kVrms
- Hohe transiente Immunität
- Hohe elektromagnetische Festigkeit
- Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
- AEC-Q100-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
Applikationen
- OBCs
- PTC-Heizelemente
- E-Kompressoren
- Stromversorgungen für Fahrzeuge
Blockdiagramme
Vereinfachte Anwendungsschaltpläne
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Veröffentlichungsdatum: 2020-06-02
| Aktualisiert: 2024-05-23