onsemi NCP303160A Gate-Treiber

Der onsemi NCP303160A Gate-Treiber enthält einen MOSFET-Treiber, einen High-Side-MOSFET und einen Low-Side-MOSFET in einem einzigen Gehäuse. Dieser Gate-Treiber und MOSFETs sind für Hochstrom-DC/DC-Abwärtsleistungsumwandlungs-Applikationen mit hohem Wirkungsgrad optimiert. Der NCP303160 Treiber ist zu durchschnittlichen Strömen von bis zu 60 A und Schaltfrequenzen von bis zu 1 MHz fähig. Dieser Treiber ist eine integrierte Lösung, die im Vergleich zu einer diskreten Komponentenlösung parasitäre Gehäuse und die Boardfläche reduziert. Der NCP303160A Gate-Treiber verfügt über eine interne Bootstrap-Diode und unterstützt die Leistungsstufe 4 von Intel^®. Dieser Gate-Treiber ist in einem PQFN39-Gehäuse erhältlich und ist bleifrei und RoHS-konform. Der NCP303160A Gate-Treiber eignet sich hervorragend für Desktop- und Notebook-Mikroprozessoren, Router und Schalter sowie Grafikkarten.

Merkmale

Fähig zu durchschnittlichen Strömen von bis zu 60 A
Zu einem Spitzenstrom von 80 A (10 ms) fähig
Auf 80 A UIS-getestet auf Gehäuseebene, um die Robustheit zu verbessern
Leistungsstarker Kupfer-Clip, PQFN-Gehäuse von 5 mm x 6 mm mit Universal-Footprint in benetzbarer Flanke
Schaltfähig bei Frequenzen von bis zu 1 MHz
Kompatibel mit einem PWM-Eingang von 3,3 V oder 5 V
Reagiert ordnungsgemäß auf dreistufigen PWM-Eingängen
Präzise Stromüberwachung
Nulldurchgangserkennung mit dreistufiger interner PWM-Bootstrap-Diode
Katastrophenbedingte Fehlererkennung
- Thermische Flag (OTP) für Übertemperaturbedingungen
- Überstromschutzfehler (OCP)
- Unterspannungssperre (UVLO) auf VCC und PVCC
- Unterspannungsschutzfehler auf Boot-SW
Diese Bauteile sind bleifrei und RoHs-konform