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onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren

Onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind Dual-Universal-Transistoren, die für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt sind. Diese NPN/PNP-Transistoren sind im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht. Die BC846BPDW1 Bipolartransistoren sind AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in einem bleifreien Gehäuse verfügbar. Diese NPN/PNP-Transistoren sind halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform. Die bipolaren Transistoren eignen sich hervorragend für stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen.

Merkmale

  • Dual-NPN/PNP-Universal-Transistoren
  • Im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht
  • Für Applikationen zur Oberflächenmontage mit geringem Stromverbrauch ausgelegt
  • „S“ -Präfix für Fahrzeug- und andere Applikationen mit einzigartigen Platz- und Steueränderungsanforderungen
  • AEC-Q101-qualifiziert und Produktionsteil-Abnehmeverfahren (PPAP) fähig
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Applikationen zur Oberflächenmontage mit geringem Stromverbrauch

Gehäuseabmessungen

Technische Zeichnung - onsemi BC846BPDW1 Bipolartransistoren
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Teilnummer Datenblatt Sättigungsspannung Kollektor-Emitter DC Stromverstärkung hFE max. DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min
SBC846BPDW1T3G SBC846BPDW1T3G Datenblatt 800 200
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Datenblatt 600 mV, 650 mV 150
SBC846BPDW1T1G SBC846BPDW1T1G Datenblatt 600 mV, 650 mV 475 at 2 mA, 5 V 200 at 2 mA, 5 V
SSVBC846BPDW1T1G SSVBC846BPDW1T1G Datenblatt 250 mV, 300 mV 475 200
SBC846BPDW1T2G SBC846BPDW1T2G Datenblatt 600 mV, 650 mV 475 200
Veröffentlichungsdatum: 2024-10-07 | Aktualisiert: 2024-10-28