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onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal-Field-Stop-VII-IGBTs von onsemi verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und eine Gen7-Diode in einem 4-Pin-Gehäuse. Dieser IGBT mit einer Kollektor-Emitter-Nennspannung von 1.200 V (VCES) ist in einem TO-247-4LD-Gehäuse erhältlich. Er ist auf eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(SAT)) von 1,66 V und einen Kollektorstrom (IC) von 60 A ausgelegt. Der AFGH4L60T120RWx-STD von onsemi bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten für harte und weiche Schalttopologien in Fahrzeuganwendungen.

Merkmale

  • Extrem effizienter Trench mit Field-Stop-Technologie
  • Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): +175 °C
  • Kurzschlussfestigkeit und niedrige Sättigungsspannung
  • Schnelles Schalten und straffe Parameterverteilung
  • AEC-Q101-qualifiziert, PPAP auf Anfrage erhältlich
  • Bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

Applikationen

  • Automotive-E-Kompressoren
  • Automotive-EV-PTC-Heizgeräte
  • OBCs

Technische Daten

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCE): 1.200 V
  • Gate-Emitter-Spannung (VGE): ±20 V
  • Transiente Gate-Emitter-Spannung (VGE): ±30 V
  • Kollektorstrom (IC) von 73 A (TC = +25 °C), 60 A (TC = +100 °C)
  • Verlustleistung (PD) von 287 W (TC = +25 °C), 114 W (TC = +100 °C)
  • Gepulster Kollektorstrom (ICM) (TC = +25 °C): 180 A
  • Dioden-Durchlassstrom (IF) von 84 A (TC = +25 °C), 60 A (TC = +100 °C)
  • Maximaler gepulster Dioden-Durchlassstrom (IFM) von 180 A (TC = +25 °C)
  • Sperrschicht-Betriebstemperatur-/Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +175 °C
  • Leitungstemperatur für Lötzwecke (TL): +260 °C

Datenblätter

Schaltungsdiagramme

Schaltplan - onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs
Schaltplan - onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-30 | Aktualisiert: 2025-10-13