onsemi AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT
Der AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-Hochgeschwindigkeits-IGBT von onsemi verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und die SiC-Schottky-Dioden-Technologie der Generation 1.5. Dieser IGBT mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCES) von 650 V ist in einem D2PAK7-Gehäuse erhältlich. Er ist auf eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(SAT)) von 1,54 V und einen Kollektorstrom (IC) von 70 A ausgelegt. Der AFGBG70T65SQDC von onsemi bietet ein optimales Betriebsverhalten mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten und ermöglicht hohe Effizienz in verschiedenen Applikationen.
Merkmale
- Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): +175 °C
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hochstromfähigkeit
- Sättigungsspannung (V CE(SAT)) bei IC = 70 A: 1,54 V (typisch)
- 100 % der Bauteile sind auf ILM getestet
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Enge Parameterverteilung
- Keine Sperrverzögerung und keine Durchlassverzögerung
- AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
Applikationen
- Automotive-HEVEV-On-Board-Ladegeräte
- Automotive-HEVEV-DC/DC-Wandler
- Brückenlose PFCs des Typs Totem Pole
Technische Daten
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V
- Transiente Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±30 V
- Kollektorstrom (IC) von 75 A (TC = +25 °C), 70 A (TC = +100 °C)
- Verlustleistung (PD) von 617 W (TC = +25 °C), 309 W (TC = +100 °C)
- Gepulster Kollektorstrom (ICM) (TC = +25 °C, tp = 10 µs) von 280 A
- Dioden-Durchlassstrom (IF) von 35 A (TC = +25 °C), 20 A (TC = +100 °C)
- Maximaler gepulster Dioden-Durchlassstrom (IFM) (TC = +25 °C, tp = 10 µs) von 80 A
- Sperrschicht-Betriebstemperatur-/Lagertemperaturbereich (TJ, Tstg): -55 °C bis +175 °C
- Leitungstemperatur für Lötzwecke (TL): +260 °C
Schaltungsdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-30
| Aktualisiert: 2025-10-13