onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) der Baureihe AFGB30T65RQDN von onsemi bietet das optimale Betriebsverhalten für Fahrzeugapplikationen. Dieser IGBT zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, schnelles Schalten, hohe Eingangsimpedanz und eine enge Parameterverteilung aus. Der IGBT der Baureihe AFGB30T65RQDN ist kurzschlussfest und bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Dieser IGBT ist AEC-Q101-qualifiziert, bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören E-Kompressoren für HEV/EV und PTC- Heizelemente für HEV/EV.
Merkmale
- Maximale Sperrschichttemperatur (TJ): 175 °C
- Positiver Temperaturkoeffizient für einfachen Parallelbetrieb
- Hohe Strombelastbarkeit
- Hohe Eingangsimpedanz
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Strikte Parameterverteilung
- Niedrige Sättigungsspannung: VCE(Sat) = 1,58 V (Typ.) bei IC = 30 A
- AEC-Q101-qualifiziert
- Bleifrei
- RoHS-konform
Applikationen
- E-Kompressoren für HEV/EV
- PTC-Heizelemente für HEV/EV
Weitere Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2025-11-04
| Aktualisiert: 2025-12-29