onsemi SuperFET®-III-MOSFETs

Die SuperFET^®-III-MOSFETs von onsemi sind Super-Junction (SJ)-Hochspannungs-N-Kanal-MOSFETs, die zur Erfüllung der hohen Leistungsdichte, des Systemwirkungsgrads und der außergewöhnlichen Zuverlässigkeitsanforderungen von Telekommunikations-, Server-, Elektrofahrzeug (EV)-Ladegerät und Solarprodukten ausgelegt sind. Diese Bauteile kombinieren eine erstklassige Zuverlässigkeit, eine niedrige EMI, einen hervorragenden Wirkungsgrad und eine ausgezeichnete thermische Leistungsfähigkeit, um sie zu einer idealen Wahl für Hochleistungsapplikationen zu machen. Die große Auswahl von Gehäuseoptionen, die SuperFET-III-MOSFETs bieten, ergänzen ihre Leistungsmerkmale und bieten Produktdesignern eine hohe Flexibilität, insbesondere bei größenbeschränkten Designs.

Merkmale

700 V bei T_J = 150 °C Spannung
Niedriger R_DS(ON)
Drain-Source-Spannung mit niedriger Stromspitze
Niedrige Gate-Ladung
Niedrige effektive Ausgangskapazität
100 % Avalanche-getestet

Das NV-Präfix gibt an, dass das Bauteil AEC-Q100-qualifiziert und PPAP-fähig ist bei Automotive- und anderen Applikationen mit einzigartigen Platz- und Steueränderungsanforderungen.
Gehäuseoptionen: D2PAK-3, DPAK-3, Power-88-4, TO-220-3, TO-247-3, TO-252-3, TO-263-3
RoHs-konform