onsemi NTHL080N120SC1A n-Kanal-SiC-MOSFET
Der NTHL080N120SC1A n-Kanal-MOSFET von Onsemi bietet im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Dieser MOSFET bietet niedrigen On-Widerstand und eine kompakte Chip-Größe, die niedrige Kapazität und Gate-Ladung gewährleistet. Der NTHL080N120SC1A MOSFET von Onsemi bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, reduzierte EMI und kleinere Systemgröße. Typische Applikationen sind Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UVS), DC/DC-Wandler, Aufwärtswechselrichter, Blindleistungskompensationen (PFC), Photovoltaik (PV)-Ladung, Solarwechselrichter, Server-Stromversorgungen und Netzstromversorgungen.
Merkmale
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung und niedrige Kapazität
- Extrem niedrige Gate-Ladung (QG(tot)): 56 nC (typisch)
- Niedrige effektive Ausgangskapazität (C OSS): 80 pF (typisch)
- 100 % UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS)
- Drain-zu-Quellen-Nennpannung (VDSS): 1.200 V
- 110 mΩ bei 20 V maximaler Drain-zu-Quellen-Widerstand (RDS(on))
- Maximaler Drainstrom von 31 A (ID)
Applikationen
- UVPS
- DC/DC-Wandler
- Aufwärts-Wechselrichter
- PFC
- PV-Laden
- Solar-Umrichter
- Netzwerk-Netzteile
- Server-Stromversorgung
Weitere Ressourcen
Videos
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Veröffentlichungsdatum: 2020-09-14
| Aktualisiert: 2024-08-23