onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs
onsemi FDME10xx PowerTrench® MOSFETs are designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handsets and other ultra-portable applications. The FDME1023PZT features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1024NZT is a dual N-Channel device with low on-state resistance for minimum conduction losses. The FDME1034CZT is a complementary PowerTrench device with an independent N-Channel and P-Channel MOSFET with low on-state resistance. The FDME1034CZT is minimized to allow high frequency switching directly from the controlling device.
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onsemi Cloud-Leistungsmanagement-Lösungen
Steigern den Wirkungsgrad bei gleichzeitiger Vereinfachung des Systemdesigns, Reduzierung des Platzbedarfs auf dem Board und Verbesserung der Zuverlässigkeit.
onsemi PowerTrench® MOSFETs
Umfangreiches Portfolio von n-Kanal- und p-Kanal-Versionen für eine niedrige RDS(ON)-Schaltleistung.
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| Teilnummer | Datenblatt | Transistorpolung | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand |
|---|---|---|---|---|
| FDME1034CZT |  |
N-Channel, P-Channel | 3.4 A | 66 mOhms, 142 mOhms |
| FDME1024NZT | |
N-Channel | 3.4 A | 55 mOhms |
Veröffentlichungsdatum: 2010-02-04
| Aktualisiert: 2024-11-07