Omron Electronics G3VM-UV MOSFET-Relais im VSON-Gehäuse
Omron Electronics G3VM-UV MOSFET-Relais verfügen über ein sehr kleines unbedrahtetes Gehäuse mit Ansteuerspannung (VSON(R)). Diese MOSFET-Relais werden mit einem internen Strombegrenzungswiderstand auf der Eingangsseite geliefert. Die G3VM-UV Relais bieten Load-Spannungen von 20 V, 40 V und 60 V mit maximalen Dauerlastströmen von 1 A, 0,3 A bzw. 0,4 A. Diese Relais arbeiten in einer hohen Umgebungstemperatur von -40 °C bis 110 °C. Zu den typischen Applikationen gehören Halbleiter-Testgeräte, Kommunikationsausrüstungen, Prüf- und Messgeräte und Datenlogger.
Technische Daten
- VSON(R) 4-Pin-Gehäuse
- Lastspannungen von 20 V, 40 V und 60 V mit maximalen Dauerlastströmen von 1 A, 0,3 A bzw. 0,4 A.
- Umgebungstemperatur: -40 °C bis 110 °C
- Eingangsdurchlassspannung: 5 V
- Eingangsdurchlassstrom: 6,3 mA (typisch)
- Maximaler Sperrstrom 10 μA
- Kapazität zwischen Ausgangsanschlüssen 30 pF
- Isolationswiderstand zwischen Anschlüssen 108MΩ
Applikationen
- Halbleiter-Testausstattung
- Kommunikationsgeräte
- Test- und Messgeräte
- Datenlogger
G3VM-UV Leistungsdiagramm
G3VM-UV Ein- und Ausschaltzeiten
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Omron Electronics G3VM MOSFET Relays
Available in one- & two-pole configurations with PCB, SMT, DIP, SOP, SSOP, or USOP packaging.
Veröffentlichungsdatum: 2019-02-03
| Aktualisiert: 2025-04-15