NXP Hochleistungs-RF

NXP ermöglicht Designern, die Spezifikationen der anspruchsvollsten RF-Anwendungen zu erfüllen. Mit NXP RF-Produkten können Sie Systeme nach den höchsten Spezifikationen zu konstruieren, während gleichzeitig potenzielle Kompromisse bezüglich Wirkungsgrad, Leistung, Robustheit, Konsistenz und Integrationsebenen erhalten bleiben. Ob Sie die RF-Leistung verbessern möchten, eine hocheffiziente Signalkette konstruieren oder neue Wege mit einer innovativen ISM-Anwendung beschreiten möchten, die kreative Denkweise von NXP und die Unterstützung durch Experten hilft Ihnen dabei auf jedem Schritt Ihres Weges.

Als klarer Branchenführer in Hochleistungs-RFs, versendet NXP jährlich mehr als 4 Milliarden Produkte. Diese Hochleistungs-RF-Produkte spielen eine kritische Rolle in einer Vielzahl von Anwendungen - von Satellitenreceivern, Mobilfunk-Basisstationen und Übertragungstransmitter bis hin zu ISM (Industrie, Wissenschaft und Medizin), Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen. Innovative Doherty-Leistungsverstärkungsarchitektur, JESD204A serialisierte Datenschnittstellen und Minuten-GPS LNAs zählen zu den konstanten Innovationen, die Ihnen NXP zur Verfügung stellt.

NXP Hochleistungs-RF Ressourcen

RF-Transistoren von NXP für Übertragungen, ISM- und Verteidigungs- und Raumfahrtanwendungen Video
NXP Varicap-Dioden
Warum Varicap-Dioden von NXP Semiconductor
  • Direkter Abgleichvorgang
  • Kleine Toleranzen
  • Das komplette Portfolio deckt einen breiten Frequenzbereich und eine Vielzahl von Gehäusen (auch Lead-lose) ab
Varicap-Dioden Auswahlanleitung
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleKapazitätMindestfeinabstimmungsverhältnis (Tuning Ratio)Vr - Reverse Voltage
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NXP-Kontaktdioden
Warum Kontaktdioden von NXP Semiconductor:
  • Breites Portfolio
  • Unerreichte Leistung
  • Niedrige Serien-Induktivität
  • Geringe Einfügungsdämpfung
  • Niedrige Kapazität
Kontaktdioden Auswahlanleitung
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleMaximale DiodenkapazitätIf - Forward CurrentIr - Reverse CurrentVf - Forward VoltageVr - Reverse Voltage
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NXP Schottky-Dioden
Warum Schottky-Dioden von NXP Semiconductor:
  • (Sehr) geringe Diodenkapazität
  • (Sehr) geringer Durchlassspannungsabfall
  • Einfach- und dreifach isolierte Diode
  • (Ultra/sehr) kleines Gehäuse

Schottky-Diode Auswahlanleitung
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVrrm - Periodische SperrspannungIf - DurchlassstromKonfigurationVf - DurchlassspannungIr - SperrstromIfsm - Durchlass-StoßstromDatenblatt









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RF MMICs

Die intelligenten RF MMICs von NXP (MMonolithische Mikrowellen-ICs) kompensieren automatisch Temperatur- und Prozessänderungen. Sie reduzieren deutlich Platzanforderungen durch die Integration von Transistoren, Widerständen und Kondensatoren in einem einzigen Gerät. Die umfassende Auswahl von NXP an 50Ω Gain-Blökcen und rauscharmen Geräten benötigt keine passenden externen Kompnenten, reduziert die gesamten Systemkosten und erhöht die Zuverlässigkeit.

RF MMIC Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleP1dB - Compression PointBetriebsfrequenzNF - Noise FigureOIP3 - Third Order Intercept
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HF-Module

NXP ist einer der größten Zulieferer von CATV-Produkten und bietet optischer Receiver, Leistungs-Verdoppler, Push-Pulls und Umkehrverstärker. Wir bieten außerdem komplette Lösungen für eine breite Palette an optischen Netzwerksystemen, hergestellt mit den neuesten Prozessen.

Optische Receiver Auswahlhilfe
Teile-Nr.Gehäuse/HülleBeschreibungDatenblatt




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Leistungs-Verdoppler Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleGainBetriebsfrequenzOperating Supply Current
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Push-Pulls Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleGainBetriebsfrequenzOperating Supply Current
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Umkehrverstärker Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleGainBetriebsfrequenzOperating Supply Current
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NXP HF-Bipolartransistoren

Klassifiziert gemäß der Übergangsfrequenz und Rauschen-/Verstärkungsleistung bieten die Breibandtransistoren von NPX viele Gehäuse-, Prozess- und Spezifikationsoptionen. Die Produktpalette reicht nun bis zur 7. Generation und liefert Frequenzen von 100MHz bis 20GHz

5-7. Generation der NXP HF-Bipolartransistoren
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleKollektor-Emitterspannung VCEO max.Operating FrequencyKollektorgleichstromPd - Power Dissipation
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Kleine Signal-FETs

NXP bietet eine breite Palette an bewährten HF-Kleinsignal-FETS von n-Kanal-Dualgate-MOSFET s bis hin zu dedizierten p-Kanal JFETs für Schaltanwendungen.

n-Kanal-Verbindungs-FETs Auswahlhilfe
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungVgs - Gate-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-WiderstandPd - VerlustleistungDatenblatt








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n-Kanal-Verbindungs-FETs für Schaltungen Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungVgs - Gate-Source Breakdown VoltageId - Drain-GleichstromPd - Verlustleistung
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n-Kanal Dualgate-MOSFETS Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungVgs - Gate-Source VoltageId - Drain-GleichstromPd - Verlustleistung
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n-Kanal Einzelgate-MOSFETS Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungVgs th - Gate-Source-SchwellspannungVgs - Gate-Source VoltageId - Drain-GleichstromRds On - Drain-Source-Widerstand
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p-Kanal-Verbindungs-FETs für Schaltungen Auswahlhilfe
Teile-Nr.Gehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungVgs - Gate-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromDatenblatt






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HF-Leistungstransistoren

Gemeinsam mit den bipolaren Lösungen bietet NXP, der Weltmarktfüher in Sachen LDMOS, eine HF-Leistungstransistorproduktpalette, die erstklassigen Wirkungsgrad, höchste Leistung und Robustheit liefert sowie alle Frequenzbereiche für Basisstationen, Übertragung, ISM- und Raumfahrt- und Verteidungsanwendungen abdeckt.


HF-Leistungstransistoren Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleVds - Drain-Source-DurchschlagspannungId - Drain-GleichstromVgs - Gate-Source VoltageRds On - Drain-Source-Widerstand
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HF-Mikrowellen-Transistor

NXP Semiconductors bietet BFU7xxF Mikrowellentransistoren mit geringem Rauschen und hoher Linearität in einem 4-Kontakt Dualemitter-SOT343F-Gehäuse. BFU710F Mikrowellentransistoren unterstützen eine hohe maximale Leistungsverstärkung von 14dB bei 12GHz und einer Rauschzahl von 1,45dB bei 12GHz. BFU760F Mikrowellentransistoren unterstützen einen hohen maximalen Ausgangsschnittpunkt der dritten Ordnung 32dBm bei 1,8GHz. BFU790F Mikrowellentransistoren bieten eine hohe maximale Ausgangsleistung bei 1dB Komprimierung 20dBm bei 1,8GHz. Anwendungen für NXP Semiconductors BFU7xxF Mikrowellentransistoren umfassen hochlineare Anendungen, mittlere Ausgangsleistungsanwendungen, GPS, Zigbee und Bluetooth.

RF Mikrowellentransistoren Auswahlhilfe
Teile-Nr.DatenblattGehäuse/HülleKollektor-Emitterspannung VCEO max.KollektorgleichstromDC-Kollektor/Basisgewinnung hfe MinPd - Power Dissipation
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RF Mikrowellentransistor-Testplatine
Teile-Nr.BeschreibungTool für die Evaluierung vonDatenblatt




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Veröffentlichungsdatum: 2010-10-11 | Aktualisiert: 2026-01-29