Nexperia Silizium-Germanium-Gleichrichter (SiGe)

Nexperia Silizium-Germanium-Gleichrichter (SiGe) kombinieren den Wirkungsgrad von Schottky-Gleichrichtern mit der thermischen Stabilität von schnellen Freilaufdioden und ermöglichen Ingenieuren die Optimierung der 120-V- bis 200-V-Leistungsdesigns für einen höheren Wirkungsgrad. Diese AEC-Q101-konformen SiGe-Gleichrichter bieten einen erweiterten sicheren Betriebsbereich ohne thermische Instabilität bis zu +175°C, wodurch sich diese Gleichrichter von Nexperia hervorragend für Applikationen mit hohen Umgebungstemperaturen eignen. Die SiGe-Gleichrichter sind in CFP-Gehäusen (Clip-Bonded FlatPower, CFP) untergebracht, die über einen  Festkupfer-Clip für eine hohe thermische Leistungsfähigkeit und Verlustleistung verfügen.

Merkmale

  • AEC-Q101-qualifiziert
  • Sperrspannung: 120 V, 150 V und 200 V (VR)
  • Durchlassstrom: 1 A, 2 A und 3 A (IF)
  • Niedrige Durchlassspannung (VF) und niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr)
  • Niedriger Ableitstrom: <1 nA
  • Thermische Stabilität bis zu +175 °C TJ
  • Schnelle und weiche Schaltung
  • Geringe parasitäre Kapazität und Induktivität
  • Minimale Auswirkungen auf die elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), was eine vereinfachte Zertifizierung ermöglicht
  • Platzsparendes, robustes CFP-Gehäuse
  • Gehäuseabmessungen
    • CFP5 (SOD128): 3,8 mm x 2,5 mm x 1,0 mm
    • CFP3 (SOD123W): 2,6 mm x 1,7 mm x 1,0 mm

Applikationen

  • Automotive
    • LED-Beleuchtung
    • Motor-Steuer-Einheiten
  • Kommunikationsinfrastruktur, wie z. B. 5G-Basisstationen
  • Serverleistung

Applikationsinfos

Videos

Vorteile des CFP-Gehäuses

Blockdiagramm - Nexperia Silizium-Germanium-Gleichrichter (SiGe)

Vorteile der SiGe-Gleichrichter

Infografik - Nexperia Silizium-Germanium-Gleichrichter (SiGe)
Veröffentlichungsdatum: 2020-06-12 | Aktualisiert: 2025-05-12