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Nexperia PMDXBx 20V Trench-MOSFETs

NXP PMDXBx 20V Trench-MOSFETs bestehen aus Anreicherungstyp-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kabellosen, ultrakleinen SOT1216 Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Die Bauteile nutzen Trench-MOSFET-Technologie, haben ein freiliegendes Drain-Pad für hervorragende Wärmeleitung, bieten >1kV HBM ESD-Schutz und 470mΩ Drain-Source-On-Widerstand. Die PMDXBx MOSFETs sind in Dual-N- und P-Kanal-Versionen erhältlich. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreise.

Merkmale

  • Trench MOSFET technology
  • Exposed drain pad for excellent thermal conduction
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1kV HBM
  • Low drain-source on-state resistance (RDS(on))
  • 1.1mm x 1.0mm x 0.37mm DFN1010B-6 (SOT1216) package

Applikationen

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits

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Package Outline

Technische Zeichnung - Nexperia PMDXBx 20V Trench-MOSFETs
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Teilnummer Datenblatt Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung
PMDXB950UPELZ PMDXB950UPELZ Datenblatt 20 V 500 mA 5 Ohms 950 mV 2.1 nC
PMDXB600UNEZ PMDXB600UNEZ Datenblatt 20 V 600 mA 3 Ohms, 3 Ohms 450 mV 400 pC
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Datenblatt 30 V 590 mA 670 mOhms 450 mV 1.05 nC
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Datenblatt 30 V 410 mA 1.4 Ohms 950 mV 1.2 nC
PMDXB600UNELZ PMDXB600UNELZ Datenblatt 20 V 600 mA 470 mOhms, 470 mOhms 450 mV 700 pC
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ Datenblatt 20 V 500 mA 5 Ohms 450 mV 2.1 nC
Veröffentlichungsdatum: 2015-05-28 | Aktualisiert: 2022-03-11