Nexperia GANB8R0-040CBA Bidirektionaler GaN FET
Der Galliumnitrid-GANB8R0-040CBA (GaN-FET) von Nexperia ist ein 40 V 8,0 mΩ GaN-HEMT (High Electron-Mobility TRANSISTOR), der in einer kompakten Größe von 1,7 mm x 1,7 mm Level Chip-Scale Package (WLCSP) untergebracht ist. Dieses Gerät im Normalerweise ausgeschalteter Anreicherungsmodus (E-Modus) bietet extrem hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrigen Einschaltwiderstand, wodurch das Nexperia GANB8R0-040CBA ideal für Applikationen ist, die effiziente Leistungsmanagement und Hochleistungsdichte erfordern. Der bidirektionale Fähigkeit und das überlegene Betriebsverhalten machen das Gerät geeignet für den Schutz von High-Side Last Schalter, Schalter und Überspannung sowie für den DC-zu-DC-Wandler.
Merkmale
- 40 V 8.0 mΩ bi-direktionaler GaN HEMT
- Enhancement-Modus, im Ruhezustand ausgeschalteter Netzschalter
- Bidirektionales Gerät
- Fähigkeit zur extrem hohen Schaltgeschwindigkeit
- Äußerst niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
- Hohe Effizienz und hohe Leistungsdichte
- 1,7 mm x 1,7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
- Bleifrei und RoHS/REACH-konform
Applikationen
- High-Side-Lastschalter
- OVP-Schutz in Smartphone-USB-Anschlüssen
- Gleichstromwandler
- Schaltkreise für Leistungsschalter
- Systeme für die Notstromversorgung
Technische Daten
- 40 V maximale Drain-Drian- und Drain-Gate-Spannung
- 6 V maximale Gate-Drain-Spannung
- 14 A Maximaler Drainstrom, 70 A Spitze
- 15 W maximale Gesamtverlustleistung
- 6,1 mΩ bis 11 mΩ typischer Drain-Drain-Widerstandsbereich im Ein-Zustand
- 3,2 Ω typischer Gate-Widerstand
- 10.1nC typische Gesamtgatterladung
- 8nC typische Ausgangsladung
- 566 pF typische Eingangskapazität
- 243 pF typische Ausgangskapazität
- 145 pF typische Rückwärtsübertragungskapazität
- -40 °C bis +125 °C Sperrschichttemperaturbereich
- +260 °C maximale Spitzenlöttemperatur
Pinning-Informationen
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-07
| Aktualisiert: 2026-01-20