Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Der MOSFET BUK6Q21-30PJ von Nexperia ist ein 30-V-p-Kanal-Erweiterungsmodus-FET in einem MLPAK33-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT8002-3) mit Trench-MOSFET-Technologie. Dieser MOSFET bietet Logikpegelkompatibilität und verfügt über seitlich benetzbare Flanken für die optische Lötstelleninspektion. Der MOSFET BUK6Q21-30PJ arbeitet im Normalbetrieb im Modus negativer Drain-Source-Spannung (VDS). Die Maximalspannung, die sicher zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen angelegt werden kann, beträgt 30 V. Dieser MOSFET wird in einem thermisch effizienten Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm) angeboten. Der MOSFET BUK6Q12-40PJ ist nach AEC-Q101 zertifiziert und eignet sich für Fahrzeuganwendungen. Dieser MOSFET ist ideal für den Verpolungsschutz, für Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber.
Merkmale
- Logikpegel-kompatibel
- Trench-MOSFET-Technologie
- Seitlich benetzbare Flanken zur optischen Lötstelleninspektion
- Drain-Source-Spannung (VDS) von -30 V bei 25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C
- Quellenstrom (Is) von -41 A bei Tmb= 25 °C
- Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 175 °C
- Typische Gesamtverlustleistung von 56 W bei Tmb= 25 °C
- Thermisch effizientes Gehäuse mit kleiner Baugröße (3,3 mm x 3,3 mm Footprint)
- AEC-Q101-qualifiziert
Applikationen
- Verpolungsschutz
- Hochgeschwindigkeitsleitungstreiber
- High-Side-Lastschalter
- Relaistreiber
Abmessungen
P-Kanal-MOSFETs
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
P-Kanal-FET in einem MLPAK33 (SOT8002-3) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Veröffentlichungsdatum: 2025-07-24
| Aktualisiert: 2025-08-19