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Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Nexperia BC5xPAS-Q 1 A Medium Power PNP-Transistoren sind in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) kleinen Leadless-SMD-Plastikgehäuse (Surface-Mounted Device) vergossen. Diese Nxperia Transistoren sind für hohe Kollektorströme ausgelegt, wobei der BC51PAS-Q eine Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von -45 V, der BC52PAS-Q bei -60 V und der BC53PAST-Q bei -80 V bietet. Die Bausteine verfügen über freiliegende Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit und eignen sich für lineare Spannungsregler, batteriebetriebene Geräte, MOSFET-Treiber, High-Side-Schalter, Power Management und Verstärker. Darüber hinaus sind diese Transistoren AEC-Q101-normenkonform, was Zuverlässigkeit in Fahrzeuganwendungen gewährleistet. Das kompakte Design reduziert den Platzbedarf auf der Leiterplatte und unterstützt die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen.

Merkmale

  • Hohe Kollektorstromfähigkeit IC und ICM
  • Geringerer Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB)
  • Auswahl der aktuellen Verstärkung
    • Zwei für BC51xPAS-Q und BC52xPAS-Q
    • Drei für BC53PAST-Q
  • Freiliegender Kühlkörper für hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit
  • Kleines Leadless-SMD-Plastikgehäuse DFN2020D-3 (SOT1061D) mit mittlerer Leistung
  • Eignet sich für die automatische optische Inspektion (AOI) von Lötstellen
  • Für den Einsatz in Fahrzeuganwendungen gemäß AEC-Q101 zugelassen

Applikationen

  • Linear-Spannungsregler
  • Batteriebetriebene Geräte
  • MOSFET-Treiber
  • High-Side-Schalter
  • Leistungsmanagement
  • Verstärker

Technische Daten

  • -45 V -60 V, oder -80 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung
  • -1 A maximaler Kollektorstrom, -2 A maximale Spitze
  • -45 V -60 V, oder -100 V maximaler Kollektor-Basis-Spannungsbereich
  • -5 V maximale Emitter-Basis-Spannung
  • -0,3 A maximaler Spitzengrundstrom
  • 0,42 W bis 1,65 W Bereich der maximalen Gesamtverlustleistung
  • -55 °C bis +150 °C Umgebungstemperaturbereich
  • DFN2020D-3 (SOT1061D) Gehäuse, 2 mm x 2 mm x 0,65 mm Gehäuse, 1,3 mm Pitch

Datenblätter

  • BC51xPAS-Q Serie - 45 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
  • BC52xPAS-Q Serie - 60 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen
  • BC53PAST-Q Serie - 80 V 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Pinning-Informationen

Technische Zeichnung - Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

Abmessungen

Technische Zeichnung - Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere Leistungen

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Veröffentlichungsdatum: 2025-04-04 | Aktualisiert: 2025-04-14