Murata DFE21CCNxEL Chipspulen-Leistungsinduktivitäten
Die Chipspulen-Leistungsinduktivitäten DFE21CCNxEL von Murata zeichnen sich durch einen um 20 % höheren Sättigungsstrom (ISAT) und einen um 50 % geringeren Gleichstromwiderstand (RDC) im Vergleich zu früheren Modellen aus. Diese Parameter tragen dazu bei, die Betriebseffizienz zu erhöhen und ermöglichen eine Verkleinerung der Systemauslegung. Mit L-förmigen Elektroden können diese Bauelemente eine wesentlich höhere Dichte erreichen. Die DFE21CCNxEL Chipspulen-Leistungsinduktivitäten von Murata sind in einer 0805-Gehäusegröße erhältlich. Diese Bauelemente sind für den Einsatz in 5G-Smartphones, DC/DC-Wandlern und in der Leistungsmanagementschaltung vorgesehen.
Fünf Modelle sind erhältlich. Die DFE21CCNR24MEL bietet eine Induktivität von 0,24 µH mit einem maximalen RDC von 20 mΩ und einem maximalen ISAT von 6,5 A. Für die DFE21CCNR47MEL sind die Schlüsselwerte 0,47 µH für die Induktivität, 29 mΩ maximal für RDC und 4,8 A maximal für ISAT. Die DFE21CCN1R0MEL mit 1,0 µH und die DFE21CCN2R2MEL mit 2,2 µH haben typische RDC-Werte von 60 mΩ bzw. 138 mΩ mit ISAT-Werten von 3,3 A und 2,1 A. Der DFE21CCNR33MELL bietet eine Induktivität von 0,33 µH, 23 mΩ RDC und maximal 5,4 A für ISAT.
Merkmale
- Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
- Maximale Nennspannung: 20 V
- 0,24 µH bis 2,2 µH Induktivitätsbereich
- Induktivitätstoleranz: ±20 %
- Maximaler DC-Widerstandsbereich: 0,020 Ω bis 0,138 Ω
- Maximaler Sättigungsstrom: 4,8 A oder 6,5 A
- Nennstrombereich
- 2100 mA bis 6500 mA (je nach Induktivitätsänderung)
- 1800 mA bis 5200 mA (je nach Temperaturanstieg)
- 0805-Gehäusegröße
Applikationen
- 5G-Smartphones
- DC/DC-Wandler
- Leistungsmanagementschaltung
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| Aktualisiert: 2024-12-04