Microchip Technology Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.