Microchip Technology MSC025SMA330B4N n-Kanal-mSiC™-MOSFET
Der Microchip Technology MSC025SMA330B4N n-Kanal-mSiC™-MOSFET ist ein diskreter 3.300-V-Siliciumkarbid-Leistungs-MOSFET der MA- Produktfamilie. Das Bauteil verwendet ein TO-247-4-Notch-Gehäuse und unterstützt Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen Leistungselektronikdesigns. Der MSC025SMA330B4N ist zur Reduzierung von Leitungsverlusten und Verbesserung des Systemwirkungsgrads über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine zuverlässige Schaltleistung konzipiert. Darüber hinaus bietet der MSC025SMA330B4N n-Kanal-mSiC-MOSFET von Microchip Technology niedrige Kapazitäten, eine niedrige Gate-Ladung, schnelle Schaltgeschwindigkeiten und einen stabilen Betrieb bei erhöhten Sperrschichttemperaturen.
Der MSC025SMA330B4N n-Kanal-mSiC-MOSFET von Microchip eignet sich hervorragend für Applikationen, die eine effiziente, kompakte und robuste SiC-Leistungsschaltung erfordern. Die MOSFETs unterstützen Mittel- bis Hochspannungssysteme in Applikationen für Luft- und Raumfahrt, Elektromobilität, Industrie und erneuerbare Energien.
Merkmale
- Diskreter n-Kanal-mSiC™-MOSFET der MA-Produktfamilie
- Niedriger Einschaltwiderstand zur Reduzierung von Leitungsverlusten und Verbesserung der Wärmeleistung
- Hochfrequenzbetrieb mit reduzierten Schaltverlusten im Vergleich zu IGBTs und herkömmlichen Silizium-MOSFETs
- Geringe Kapazitäten und Gate-Ladung für effizientes Hochgeschwindigkeits-Schalten
- Hohe Schaltgeschwindigkeit unterstützt durch einen niedrigen internen Gate-Widerstand
- Schnelle Body-Diode mit geringer Erholungszeit für zuverlässige harte Schaltvorgänge
- Überlegene Avalanche-Beständigkeit und Kurzschlussfestigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit
- RoHS-konform
Applikationen
- Hochspannungs-Leistungssysteme
- Designs für die Luft- und Raumfahrt
- E-Mobilitäts-Systeme
- Industrielle Energiesysteme
- Erneuerbare Energie
Technische Daten
- Drain-Source-Spannung von 3.300 V
- Spannungsbereich des Gate-Drives von 18 V bis 20 V
- Einschaltwiderstand von 25 mΩ bei VGS = 20 V
- Maximaler Dauersenkenstrom von 106 A
- Ausgangskapazität von 186 pF
- Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C
- TO-247-4-Notch-Gehäuse
Gehäusetyp
Veröffentlichungsdatum: 2026-07-14
| Aktualisiert: 2026-07-16