Microchip Technology AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicher
Microchip AT28C256 256-kBit-EEPROM-Speicherbausteine sind leistungsstarke elektrisch-löschbare und programmiere Nur-Lese-Speicher (EEPROM). Der EEPROM-Speicher mit 256 kBit ist in 32.768 Wörter von jeweils 8-Bit organisiert. Diese Bausteine sind mit der erweiterten nichtflüchtigen CMOS-Technologie von Atmel hergestellt und bieten eine Zugriffszeit von 150 ns mit 440 mW Leistungsverlust. Der Zugriff auf die AT28C256 Speicherbausteine erfolgt wie bei statischen RAMs für den Lese- oder Schreibzyklus, ohne dass externe Komponenten erforderlich sind. Diese AT28C256 Bausteine enthalten ein 64-Byte-Seitenregister zum Schreiben von bis zu 64 Byte gleichzeitig. Die EEPROM-Bausteine verwenden eine interne Fehlerkorrektur für eine längere Endurance und bessere Datenhaltungseigenschaften.
Ein optionaler Softwaredaten-Schutzmechanismus ist zum Schutz vor ungeplanten Schreibvorgängen verfügbar. Darüber hinaus enthalten die AT28C256 Bausteine zusätzliche 64 Byte EEPROM für die Geräteidentifizierung oder das Tracking.
Merkmale
- Schnelle Lesezugriffszeit von 150 ns
- Automatischer Seitenschreibvorgang:
- Interne Adress- und Daten-Verriegelungen für 64-Byte
- Interner Steuerungs-Timer
- Kurze Schreibzyklen:
- Seitenschreibzykluszeit von 3 ms oder 10 ms (max.)
- 1- bis 64-Byte-Seitenschreibbetrieb
- Hardware- und Software-Datenschutz
- DATEN-Abfrage für Ende-Schreiben-Erkennung
- Hochzuverlässige CMOS-Technologie:
- Endurance: 104 oder 105 Zyklen
- 10 Jahre Datenhaltung
- CMOS- und TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
- JEDEC-zugelassene Byte-große Pinbelegung
- Vollständige Militär- und Industrie-Temperaturbereiche
- Umweltfreundliche (blei-/halogenfreie) Gehäuseoptionen
Technische Daten
- 5-V-Einzelversorgung von ±10 %
- Geringe Verlustleistung:
- 50 mA aktiver Strom
- 200 µA CMOS-Stromverbrauch im Standby-Modus
- 2 V (min.) Eingangshochspannung (VIH)
- 2,4 V (min.) Ausgangshochspannung (VOH)
Blockdiagramm
Veröffentlichungsdatum: 2018-01-04
| Aktualisiert: 2022-09-23