Littelfuse SiC-MOSFETs
Littelfuse SiC-MOSFETs sind für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen optimiert. Diese robusten SiC-MOSFETs sind in einem TO-247-3L-Gehäuse erhältlich und bieten einen extrem niedrigen On-Widerstand. Littelfuse bietet intern entwickelte und hergestellte SiC-MOSFETs mit extrem niedriger Gate-Ladung und Ausgangskapazität, branchenführender Leistungsfähigkeit und Robustheit bei allen Temperaturen und mit extrem niedrigem On-Widerstand. Jetzt als 80mOhm-, 120mOhm- und 160mOhm-Versionen mit 1.200 V verfügbar.
Merkmale
- Optimiert für hocheffiziente Hochfrequenzapplikationen
- Extrem niedrige Ausgangskapazität und Gate-Ladung
- Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung
- Normalzustand „Aus“ bei allen Temperaturen
- Extrem niedriger On-Widerstand
- Verringerung der Anzahl passiver Filterkomponenten auf Systemebene
- Verringerung der Größe und Komplexität von Kühltechniken
- Erhöhte Leistungsdichte
Applikationen
- Elektrofahrzeuge
- Industriemaschinen
- Erneuerbare Energie
- Medizinische Ausrüstung
- Solar-Wechselrichter
- Schaltnetzteile
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung
- Motorantriebe
- Hochspannungs-DC/DC-Wandler
- Induktionserhitzer
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Littelfuse Ladelösungen für Elektrofahrzeuge
Ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.
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Veröffentlichungsdatum: 2017-10-05
| Aktualisiert: 2025-10-09