Littelfuse SC2200-01UTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode

Die SC2200-01UTG unidirektionale diskrete TVS-Diode von Littelfuse wird unter Verwendung von einer proprietäre Silizium-Avalanche Technology hergestellt und verarbeitet. Dieses robuste Bauelement kann wiederholte elektrostatische Entladungsereignisse bei den von der IEC 61000-4-2 spezifizierten höheren Pegeln (Level 4, ±8 kV Kontakt-Entladung) ohne Leistungsabfall sicher absorbieren. Darüber hinaus kann die SC2200-01UTG Diode sicher einen 100 A Stromstoß mit einer 8/20 μs-Wellenform ableiten und so einen zuverlässigen Schutz für empfindliche elektronische Bauteile gewährleisten (IEC61000-4-5 2. Ausgabe). Diese TVS-Diode zeichnet sich durch eine niedrige Klemmspannung aus und wurde zum Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) und blitzinduzierten Überspannungen entwickelt. Der unidirektionale SC2200-01UTG Diode bietet einen geringen Stromverbrauch von 10 nA Ableitstrom (bei 22 V) und eignet sich als VBUS-Schutz für das schnelle Aufladen von USB-Schaltungen.

Merkmale

  • ESD, IEC 61000-4-2 und ±30 kV Kontakt/Luft
  • EFT, IEC 61000-4-4 und 40 A (5/50 ns)
  • Maximale Stoß-Toleranz, IEC 61000-4-5, 2. Ausgabe, 100 A (8/20μs)
  • Niedrige Klemmspannung
  • Niedriger Ableitstrom von 10 nA (max.) bei 22 V
  • Halogenfrei, bleifrei und RoHS-konform
  • Feuchteempfindlichkeit (MSL-1)

Applikationen

  • VBUS Schutz für das schnelle Laden von USB-Schaltungen

Gehäuseabmessungen – DFN-6P

Technische Zeichnung - Littelfuse SC2200-01UTG Unidirektionale diskrete TVS-Diode
Veröffentlichungsdatum: 2024-06-19 | Aktualisiert: 2024-06-28