Littelfuse Bidirectional Discrete TVS

Littelfuse diskret-bidirektionale TVS-Baureihe verfügt über aufeinanderfolgende Zener-Dioden, hergestellt mit proprietärer Silikon-Avalanche-Technologie, um elektronische Geräte vor potentiell zerstörerischen elektrostatischen Entladungen (ESD) zu schützen. Diese Dioden können wiederholte ESDs über dem, im internationalen Standard IED61000-4-2 angegebenen, maximalen Pegel, ohne Leistungseinbußen sicher absorbieren. Die direkt hintereinander angebrachten Dioden bieten Datenleitungen einen symmetrischen ESD-Schutz, wenn AC-Signale vorhanden sind.

Merkmale

  • Back-to-back Zener diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology
  • Tiny 01005 footprint
  • EFT, IEC 61000-4-4, 40A (5/50ns)
  • Low 0.1μA leakage current at 5V
  • ESD, IEC 61000-4-2, ±30kV contact, ±30kV air
  • Lightning, IEC 61000- 4-5, 2nd Edition, 5A (tP=8/20μs)
  • Low 20pF capacitance (at VR=0V)
  • Lead-free, Halogen-free, and RoHS compliant

Applikationen

  • Mobile phones
  • Smartphones
  • Portable medical
  • Digital cameras
  • Wearable technology
  • Portable navigation devices
  • Tablets

Pinout

Technische Zeichnung - Littelfuse Bidirectional Discrete TVS

Functional Block Diagram

Blockdiagramm - Littelfuse Bidirectional Discrete TVS
Veröffentlichungsdatum: 2015-05-26 | Aktualisiert: 2025-05-09