IXYS XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs
IXYS XPT™-GenX5™-Trench-IGBTs sind mit einer proprietären XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und einem hochmodernen Trench-IGBT-Verfahren der 5. Generation (GenX5) ausgelegt. Diese Bauteile verfügen über einen reduzierten thermischen Widerstand, geringe Energieverluste, ein schnelles Schalten, einen niedrigen Nachlaufstrom und hohe Stromdichten. Die XPT-GenX5-IGBTs verfügen über quadratische Sperrvorspannungs-sicheren Betriebsbereiche (RBSOA) und eine Durchschlagspannung von 650 V, wodurch sie sich hervorragend für hartschaltende Applikationen ohne Snubber eignen. Darüber hinaus enthalten diese IGBTs einen positiven Kollektor-zu-Emitter-Temperaturkoeffizient der Spannung, der Designern den Einsatz mehrerer parallelgeschalteten Bauteilen zur Erfüllung der Hochstromanforderungen ermöglicht. Die niedrige Gate-Ladung dieser Bauteile trägt zur Reduzierung der Gate-Treiber-Anforderungen und Schaltverluste bei.
Die XPT-GenX5-Trench-IGBTs von IXYS sind in TO-220-3- (IXYP60N65A5) und TO-247-3-Gehäusen (IXYH90N65A5 und IXYH120N65A5) mit einem großen Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C verfügbar.
Merkmale
- Niedrige VCE(sat), niedriges Eon/Eoff
- Optimiert für Niederfrequenz-Hochstromschaltung
- Hohe Stromstoßbeständigkeit
- Quadratische Sperrvorspannungs-sichere Betriebsbereiche (RBSOA)
- Positiver Temperaturkoeffizient von VCE(sat)
- Niedrige Gate-Drive-Anforderungen
- Internationale Standardgehäuse
Applikationen
- Wechselrichter
- USV
- Motorantriebe
- SNT
- PFC-Schaltungen
- Akkuladegeräte
- Schweißgeräte
- Lampen-Vorschaltgeräte
Technische Daten
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 650 V
- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)): 1,35 V
- Kollektorstrom bei 25 °C (IC25)
- IXYP60N65A5: 134A
- IXYH90N65A5: 220A
- IXYH120N65A5: 290A
- Kollektorstrom bei 110 °C (IC110)
- IXYP60N65A5: 60A
- IXYH90N65A5: 90A
- IXYH120N65A5: 120A
- Stromabfallzeit (Tfi(typ))
- IXYP60N65A5: 110ns
- IXYH90N65A5: 160ns
- IXYH120N65A5: 160ns
- Sperrschichttemperaturbereich (TJ): -55 °C bis +175 °C
- Gehäuse
- IXYP60N65A5: TO-220-3
- IXYH90N65A5: TO-247-3
- IXYH120N65A5: TO-247-3
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Pin-Bezeichnungen
TO-220-3-Gehäuseumriss
TO-247-3-Gehäuseumriss
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| Teilnummer | Datenblatt | Sättigungsspannung Kollektor-Emitter | Kollektorgleichstrom bei 25 C | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|
| IXYH90N65A5 |  |
1.35 V | 220 A | 650 W |
| IXYH120N65A5 | |
1.35 V | 290 A | 830 W |
| IXYP60N65A5 | |
1.35 V | 134 A | 395 W |
Veröffentlichungsdatum: 2021-09-09
| Aktualisiert: 2022-03-11