IXYS
Die IXYS Corporation ist ein globaler Anbieter von Leistungsmanagement-Halbleitern mit einer umfassenden Auswahl von Leistungs-MOSFET-, IGBT- bipolaren und Mischsignal-IC-Lösungen, die einen verbesserten Wirkungsgrad und reduzierte Energiekosten in einer großen Auswahl von Stromversorgungssystem-Applikationen bieten.
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IXYS X4-Class Power MOSFETsOffer low on-state resistance and conduction losses, with improved efficiency.02.02.2026 -
IXYS DP-Hochspannungsdioden mit schneller Recoveryzeit600 V oder 1.200 V SCHOTTKY-Dioden mit niedrigem Sperrstrom und schneller Recoveryzeit.20.01.2026 -
IXYS CPC1343G OptoMOS® Solid State Relais60 V, 900 mA, bidirektionale, normalerweise offene Relais mit 5000 V Isolierung und schneller Schaltfunktion.10.12.2025 -
IXYS CPC1601M 1-Form-A Solid-State-StromstoßrelaisEin nicht isoliertes Relais mit geringem Betriebsstrom, das in einem kleinen 3 mm x 3 mm 8-poligen DFN-Gehäuse integriert ist.29.10.2025 -
IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-KlasseIsoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den Rth(j-s) insgesamt und die Strombelastbarkeit.08.10.2025 -
IXYS IXSxNxL2Kx Siliciumcarbid (SiC) MOSFETsDiese Bauteile haben eine hohe Sperrspannung bei niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)].19.09.2025 -
IXYS IX4352NEAU Low-Side-Gate-TreiberSpeziell für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und Hochleistungs-IGBTs entwickelt.04.09.2025 -
IXYS IXSJxN120R1K SiC-Leistungs-MOSFETs von 1.200 VSperrspannung von bis zu 1.200 V mit einem niedrigen RDS(on) von 18 mΩ oder 36 mΩ.27.08.2025 -
IXYS CPC1056N Relais mit normalerweise offener Schaltung von 75 mABidirektionale, einpolige Solid-State-Relais in einem Vier-Pin-SOP-Gehäuse.14.08.2025 -
IXYS IX3407B Isolierter Einkanal-Gate-TreiberBietet einen typischen Spitzenausgangsstrom von 7 A für Quelle und Senke an separaten Ausgangspins.30.06.2025 -
IXYS Dx-Baureihe Silizium-Gleichrichter für AutomobilapplikationenVerfügt über glaspassivierte Sperrschichten, die einen stabilen Betrieb und eine hohe Zuverlässigkeit gewährleisten.14.04.2025 -
IXYS DCK SiC SCHOTTKY-DiodenBietet einen Hochfrequenzbetrieb und eine hohe Stromstoßbelastbarkeit.03.04.2025 -
IXYS IXD0579M Gate-TreiberHigh-Side- und Low-Side-Gate-Treiber mit einer hohen Frequenz von 100 V und einer integrierten Bootstrap-Diode.03.04.2025 -
IXYS MCMA140PD1800TB Thyristor-DiodenmodulDas 140 A Diodenmodul ist mit einem planar passivierten Chip integriert und bietet eine langfristige Stabilität.25.03.2025 -
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.17.03.2025 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXFH46N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit einem n-Kanal-Anreicherungstyp.27.02.2025 -
IXYS IXFH34N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.27.02.2025 -
IXYS IXD2012N Gate-TreiberDer High-Side- und Low-Side-Hochgeschwindigkeits-Gate-Treiber schaltet bis zu 200 V im Bootstrap-Betrieb.18.02.2025 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXTNx00N20X4 miniBLOC-MOSFETsBieten eine Nennspannung von 200 V, einen Strombereich von 340 A bis 500 A und ein SOT-227B-Gehäuse.28.11.2024 -
IXYS DPF100C1200HB 1.200 V, 2 x 50 A Schnelle FreilaufdiodenZwei Universal-Leistungsschaltdioden in einer Konfiguration mit gemeinsamer Kathode und einem TO-247-Gehäuse.22.11.2024 -
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.25.07.2024