Infineon Technologies International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs
International Rectifier 1200V Gen8 IGBTs bieten die neueste Generation der Gate-Field-Stop-Technologie von IR, die in industriefähigen TO-247-Standardgehäusen angeboten werden, um die beste Leistung für Industrie- und Energiesparanwendungen ihrer Klasse zu bieten. Die Gen8-Technologie bietet weichere Abschalt-Eigenschaften, die für Motorantriebs-Anwendungen ideal sind, minimieren dv/dt, um EMI und Überspannung zu reduzieren, und gleichzeitig Zuverlässigkeit und Robustheit zu erhöhen. Diese Gen8-IGBTs bieten einen Stromwert von 8A bis zu 60A mit typ. VCE(ON) von 1,7V und eine Kurzschlussfestigkeit von 10µs, was die Verlustleistung reduziert und zu einer erhöhten Leistungsdichte und Robustheit führt. Durch die Verwendung der Dünnwafer-Technologie liefern die 1200V Gen8-IGBTs eine erhöhte thermische Beständigkeit und eine maximale Sperrschichttemperatur von bis zu 175°C.Merkmale
- Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
- 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
- Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
- Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
- Lead-free, RoHS compliant
Applikationen
- Industrial motor drives
- UPS
- Solar inverters
- Welding
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| Teilnummer | Kollektorgleichstrom bei 25 C | Kriechstrom Gate-Emitter | Pd - Verlustleistung | Datenblatt |
|---|---|---|---|---|
| IKW08N120CS7XKSA1 | 21 A | 100 nA | 106 W | ![]() |
| IKW15N120T2 | 30 A | 600 nA | 235 W | ![]() |
| IKW25N120T2 | 50 A | 200 nA | 349 W | ![]() |
| IKW40N120T2 | 75 A | 200 nA | 480 W | ![]() |
Veröffentlichungsdatum: 2014-12-11
| Aktualisiert: 2022-03-11

