Infineon Technologies Rückwärtsleitfähige IGBTs der nächsten Generation

Infineon Technologies 650 V/1200 V/1350 V/1600 V Rückwärtsleitenden IGBTs der nächsten Generation kombinieren die Leistung der TRENCHSTOP™-Produktfamilie mit der innovativen rückwärtsleitenden RC-H-IGBT-Technologie, um eine neue Generation erstklassiger Bauteile zu schaffen. Die Bauteile bieten eine höhere Schaltfrequenz, eine geringere Verlustleistung und ein verbessertes Wärmemanagement für eine höhere Zuverlässigkeit.

Die innovative TRENCHSTOP™ IGBT-geschützte Baureihe kombiniert einen IGBT von 20 A bis 1.350 V in der RC-H5-Technologie mit einem einzigartigen Schutz-Gate-Treiber-IC in einem 6-Pin-TO-247-Gehäuse für Induktionskochfeld-Applikationen. Die RC-H5 650-V-Bauteile wurden für die niedrigste VCE(sat) für den besten Wirkungsgrad und die beste thermische Leistung sowie für eine niedrigere Eoff für die verbesserte Leistung bei Designs mit höheren Schaltfrequenzen optimiert. Der 30 A, 1600 V RC-H5 vervollständigt die neueste RC-H5-Generierung von rückwärtsleitenden IGBTs, die für die strengen Anforderungen von Induktionskochfeld-Applikationen entwickelt und optimiert wurden.

Die RC-H5 IGBTs verfügen über eine monolithisch integrierte Diode, die sich ideal für weichschaltende Applikationen wie Induktionsherde, Inverter-Mikrowellenherde und Reiskocher eignet.

Merkmale

  • TRENCHSTOP™ IGBT-geschützte Baureihe
    • RC-H5 Erstklassige Leistungsfähigkeit
    • Integrierter Treiber mit Überspannungs- und Überstromschutz
    • Aktive Klemmsteuerschaltung
    • Programmierbarer Überspannungs-Schwellwert
    • Programmierbarer Zyklus-für-Zyklus-Überstrom-Schwellwert
    • Integrierter Gate-Antrieb mit zweistufigem Einschaltstrom
    • Temperaturwarnung
    • Übertemperaturschutz
    • VCC Unterspannungssperre (UVLO)
    • Integrierter ESD-Schutz und Verriegelungsimmunität auf allen Pins
    • 6-Pin-TO-247-Gehäuse
  • RC-H5
    • Schaltverluste um 30 % reduziert
    • Sehr geringe Leitungsverluste
    • Tj(max.) = 175 °C
    • Weichstrom-Abschaltwellenformen für niedrige EMI
    • Höhere Sperrspannung VBR(min) = 1.350 V

Applikationen

  • Induktionsherde
  • Inverterisierte Mikrowellenöfen
  • Induktions-Reiskocher
  • Induktions-Warmwasserbereiter
  • Andere resonante Schalttopologien
Veröffentlichungsdatum: 2019-10-18 | Aktualisiert: 2024-01-31