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Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs

OptiMOS™ 6 80 V Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies  setzen mit einem breiten Portfolio, darunter PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, SuperSO8, PQFN 5 mm x 6 mm Beidseitige Kühlung und PQFN 3,3 mm x 3,3 mm Source-Down, branchenweit Maßstäbe in puncto Leistung. Die 80 V-Produktfamilie ist ideal für Applikationen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikation, Server und Solar. Die Leistungsverbesserungen von OptiMOS™ 6 80 V demonstrieren auch Vorteile in Batteriemanagementsystemen (BMS).

Merkmale

  • n-Kanal, normale Stufe
  • On-Widerstände
    • >24 % weniger RDS(on) im Vergleich zu OptiMOS™ 5 in SSO8
    • >28 % weniger RDS(on) im Vergleich zu freigegebenem PQFN von 3 mm x 3 mm
  • Produkt mit ausgezeichneter Gate-Ladung x RDS(on) (FOM)
  • Sehr geringe Sperrverzögerungsladung
  • Industriestandard-Gehäuseportfolio
  • Hohe Avalanche-Energieeinstufung
  • Normalpegel-Gate-Treiber
  • Verbesserte Leistung, SOA und Avalanche-Strom
  • +175 °C eingestuft
  • Industriell zugelassen
  • Hervorragend geeignet für Hochfrequenzschaltung und Synchrongleichrichtung
  • Bleifreie Anschlussbeschichtung, RoHS-konform
  • Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

Applikationen

  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Photovoltaik-Applikationen
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Server-Stromversorgungen (PSU)
  • DC-DC-Leistungsumwandlung

Technische Daten

  • 80 V minimale Drain-Source-Durchschlagspannung
  • 2,4 V bis 3,5 V Gate-Schwellenspannungsbereich
  • 100 nA maximaler Gate-Source-Ableitstrom
  • 37 A bis 271 A maximaler Dauersenkenstrombereich
  • 220 S oder 230 S typische Transkonduktanz-Optionen
  • 0,75 Ω bis 1,8 Ω Gate-Widerstandsbereich
  • 676 A bis 1.084 A maximaler gepulster Drainstrombereich
  • ±20 V maximale Gate-Source-Spannung
  • 3,8 W bis 375 W maximaler Leistungsverlust
  • 1291 mJ oder 1443 mJ maximale Einzelimpuls-Avalanche-Energie-Optionen
  • 100 A maximaler Einzelimpuls-Avalanche-Strom
  • Maximaler thermischer Widerstand
    • 0,4 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse
    • Sperrschicht-zu-Umgebung von 40 °C/W, Kühlfläche von 6 cm2
    • 62 °C/W Sperrschicht-zu-Gehäuse, minimaler Footprint
  • -55 °C bis +175 °C Betriebstemperaturbereich
  • PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, SuperSO8 PQFN 5 mm x 6 mm mit beidseitiger Kühlung und PQFN 3,3 mm x 3,3 mm mit Source-Down-Gehäuseoptionen

Datenblätter

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Veröffentlichungsdatum: 2025-12-10 | Aktualisiert: 2025-12-23