Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETS

Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind leistungsstarke N-Kanal Transistoren, die für anspruchsvolle Leistungsumwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Diese MOSFETs bieten einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand, überlegenen thermischen Widerstand und ein ausgezeichnetes Miller-Verhältnis für dv/dt-Robustheit. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 7 sind für Hard-Switching- und Soft-Switching-Topologien sowie für FOMoss optimiert. Diese MOSFETs sind zu 100 % durch Avalanche-Tests geprüft und sind RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs sind gemäß IEC61249‑2‑21 halogenfrei.

Merkmale

  • Sehr geringer On-Widerstand RDS(on)
  • Überlegener thermischer Widerstand
  • Optimiert für Hard-/Soft-Switching-Topologien
  • Optimiert für FOMoss
  • 100 % Avalanche-getestet
  • Halogenfrei gemäß IEC61249‑2‑21
  • Bleifreie Beschichtung von Leitungen
  • RoHS-konform
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-24 | Aktualisiert: 2025-11-03