Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module verfügen über eine erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von 650 V und verwenden eine CoolSiC™ Schottky-Diode (gen5). Diese Bauteile basieren auf der TRENCHSTOP™-IGBT5- und PressFIT-Kontakttechnologie. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module bieten stark reduzierte Schaltverluste und ein Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand. Diese Module verfügen über ein kompaktes Design, das eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen und vorinstalliertes thermisches Schnittstellenmaterial umfasst. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module eignen sich hervorragend für Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.Merkmale
- CoolSiC-Schottky-Diode (5. Gen.)
- Erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von bis zu 650 V
- Geringe Schaltverluste
- Kompaktes Design
- Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischem Widerstand
- PressFIT-Kontakttechnologie
- Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
- Vorinstalliertes Wärmeableitungsmaterial
Applikationen
- Motorantriebe
- Solar
- Dreistufen-Applikationen
- USV-Systeme
Schaltpläne
Auswahlhilfe
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| Teilnummer | Datenblatt | Beschreibung | Produkt-Typ | Standardpackungsmenge |
|---|---|---|---|---|
| F3L200R07W2S5FB11BOMA1 | ![]() |
IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 15 |
| F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 | IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 | |
| F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 | IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module | IGBT Modules | 18 |
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-11
| Aktualisiert: 2024-10-24

