Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module verfügen über eine erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von 650 V und verwenden eine CoolSiC™ Schottky-Diode (gen5). Diese Bauteile basieren auf der TRENCHSTOP™-IGBT5- und PressFIT-Kontakttechnologie. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module bieten stark reduzierte Schaltverluste und ein Al2O3 -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand. Diese Module verfügen über ein kompaktes Design, das eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen und vorinstalliertes thermisches Schnittstellenmaterial umfasst. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module eignen sich hervorragend für Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.

Merkmale

  • CoolSiC-Schottky-Diode (5. Gen.)
  • Erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von bis zu 650 V
  • Geringe Schaltverluste
  • Kompaktes Design
  • Al2O-Substrat mit niedrigem thermischem Widerstand
  • PressFIT-Kontakttechnologie
  • Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
  • Vorinstalliertes Wärmeableitungsmaterial

Applikationen

  • Motorantriebe
  • Solar
  • Dreistufen-Applikationen
  • USV-Systeme

Schaltpläne

Applikations-Schaltungsdiagramm - Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module
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Teilnummer Datenblatt Beschreibung Produkt-Typ Standardpackungsmenge
F3L200R07W2S5FB11BOMA1 F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Datenblatt IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 15
F3L200R07W2S5FPB55BPSA1 IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 18
F3L200R07W2S5FPB56BPSA1 IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module IGBT Modules 18
Veröffentlichungsdatum: 2020-05-11 | Aktualisiert: 2024-10-24